[发明专利]直流升压斩波电路有效

专利信息
申请号: 201210483842.8 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103840662B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 高立颍;岳少鹏;金立博;孙琦;韩本忠 申请(专利权)人: 联创汽车电子有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 王江富
地址: 201206 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 直流 升压 电路
【权利要求书】:

1.一种直流升压斩波电路,包括一升压电感、一续流二极管、一输出电容、一MOS开关管,其特征在于,还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、升压控制器、数模转换器;

所述MOS开关管的源极和漏极中的任意一端接地,另一端接所述续流二极管的正端及所述升压电感的一端;

所述MOS开关管的栅极,接升压控制器的栅极驱动信号输出端;

所述升压电感的另一端,接外部电源;

所述续流二极管的负端,作为直流升压斩波电路的升压电压输出端;

所述输出电容,接在所述续流二极管的负端同地之间;

所述第一电阻、第二电阻串接在所述续流二极管的负端同地之间;

所述数模转换器,用于根据输入的数字信号,输出相应的模拟电压;

所述第三电阻,接在所述数模转换器的模拟电压输出端到所述第一电阻同第二电阻的连接点之间;

所述升压控制器,包括一比较器;

所述比较器的一输入端接参考电压,另一输入端接所述第一电阻同第二电阻的连接点;

所述升压控制器,根据所述比较器的输出,控制输出栅极驱动信号;

所述直流升压斩波电路的升压电压VOUT为:

VOUT=VREF*(1+R1/R2+R1/R3)-VDAC*(R1/R3);

VREF为参考电压,R1为第一电阻,R2为第二电阻,R3为第三电阻,VDAC为数模转换器的输出电压。

2.根据权利要求1所述的直流升压斩波电路,其特征在于,

直流升压斩波电路还包括第四电阻;

所述MOS开关管的源极和漏极中的任意一端通过第四电阻接地;

所述第四电阻的两端连接到升压控制器的两电流采样输入端,用于对MOS开关管的源漏电流进行采样;

所述升压控制器,根据所述比较器的输出及MOS开关管的源漏电流采样,控制输出栅极驱动信号。

3.根据权利要求2所述的直流升压斩波电路,其特征在于,

所述MOS开关管为N沟道MOSFET;

所述N沟道MOSFET的源极通过第四电阻接地,漏极接所述续流二极管的正端及所述升压电感的一端,栅极接升压控制器的栅极驱动信号输出端。

4.根据权利要求3所述的直流升压斩波电路,其特征在于,

所述数模转换器的参考电压采用5V电源供电;

所述第一电阻为100KΩ;

所述第二电阻为0.91KΩ;

所述第三电阻R3为10KΩ;

所述参考电压为0.7V。

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