[发明专利]半导体加工设备及其去气腔室和加热组件在审
| 申请号： | 201210483509.7 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103839854A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐桂玲 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海;宋合成 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 设备 及其 去气腔室 加热 组件 | ||
1.一种用于半导体加工设备的加热组件，其特征在于，包括：
聚光罩，所述聚光罩具有位于中央的平面部和连接至所述平面部的周向边沿的弧形罩沿部；以及
多个加热灯泡，所述多个加热灯泡设在所述平面部的内表面上。
2.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述弧形罩沿部的横截面构造成圆弧形。
3.根据权利要求2所述的加热组件，其特征在于，所述平面部上设有多个安装孔及多个圆孔，所述安装孔用于定位所述聚光罩，所述加热灯泡定位在所述圆孔内。
4.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述聚光罩由不透明材料构造成。
5.根据权利要求4所述的加热组件，其特征在于，所述聚光罩由铝一体成型。
6.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述聚光罩的所述内表面被抛光至Ra1.6或者以下。
7.一种用于半导体加工设备的去气腔室，其特征在于，包括：
腔室本体，所述腔室本体具有开口的上端；
石英窗，所述石英窗覆盖所述开口；
上罩体，所述上罩体设在所述石英窗之上，并与所述石英窗构造成加热腔室；以及
如权利要求1-6中任一项所述的加热组件，所述加热组件可拆卸地安装至所述上罩体的内表面上。
8.根据权利要求6所述的去气腔室，其特征在于，所述聚光罩的下端与所述石英窗相距预定的距离。
9.根据权利要求8所述的去气腔室，其特征在于，所述腔室本体和所述上罩体中分别形成有冷却回路。
10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一所述的去气腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
