[发明专利]低雷达散射截面金属支架总散射场计算方法有效

专利信息
申请号: 201210483297.2 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102967774A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 许小剑;陈鹏辉 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 雷达 散射 截面 金属支架 计算方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术,尤其涉及一种低雷达散射截面金属支架总散射场计算方法。

背景技术

在现代隐身目标的设计、研制和试验过程中,常需对所设计的目标雷达散射截面(Radar Cross-Section,以下简称RCS)值,即总散射场,进行诊断测量和评估,为改进设计和隐身性能评估提供参考依据。其中,缩比目标和全尺寸目标的总散射场测量是低可探测性目标RCS测试、改进与性能评估的重要手段之一。总散射场是物体本身的性质之一。在RCS测试试验中,需要设置金属支架,金属支架用于支撑目标,目标比如为金属端帽,金属端帽用于模拟隐形机等实体。金属支架和金属端帽都具有各自的总散射场。为尽量减小金属支架对目标的影响,要求金属支架的总散射场尽量小。

在金属支架的低散射设计中,需要在设计过程中对金属支架的总散射场进行分析和预估计算,为设计改进和定型提供依据。在现有技术中,对金属支架总散射场的预估和计算一般采用两种方法:

(1)几何绕射理论(Geometrical Theory of Diffraction,以下简称GTD),根据GTD分析,可得到金属支架总散射场的解析表达式,表达式如下:

σVV=4L2π[nsin(π/n)]2[sin(kLsinτ)kLtanτ]2---(1)]]>

σHH=4L2π[ntan(π/n)]2[sin(kLsinτ)kLtanτ]2---(2)]]>

其中,σVV和σHH分别为垂直极化和水平极化下金属支架的总散射场;为波数,λ为雷达波长;L为金属支架高度;n=2-β/π,β为金属支架前棱边的内劈角;τ为金属支架前棱边的倾斜角。根据上述表达式进而可得到金属支架的总散射场。

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