[发明专利]一种高绒度反射的导电白色背反射电极及其制备方法无效
申请号: | 201210482434.0 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN102931244A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 张晓丹;赵颖;白立沙;王延峰;张德坤;黄茜;魏长春;侯国付 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高绒度 反射 导电 白色 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种高绒度反射的导电白色背反射电极,其特征在于:由衬底、腐蚀出弹坑状的ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构,所述衬底为硬质衬底玻璃或不锈钢,或柔性衬底PEN、PET或PI;所述腐蚀出弹坑状的ZnO层为本征ZnO或掺杂ZnO材料ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:H、ZnO:Mo、ZnO:W中的一种,腐蚀出弹坑状的ZnO层的均方根粗糙度为50-300nm、厚度为0.5-4μm;银薄膜层的厚度为70-500nm;ZnO界面层的薄膜厚度为70-500nm。
2.一种如权利要求1所述高绒度反射的导电白色背反射电极的制备方法,其特征在于步骤如下:
1)在清洁的衬底上采用磁控溅射方法制备ZnO薄膜;
2)在上述ZnO薄膜上利用湿法腐蚀制绒工艺获得具有陷光作用的弹坑状陷光绒面层ZnO薄膜,湿法腐蚀制绒工艺处理采用质量浓度为0.1%-5%的稀盐酸进行腐蚀处理,腐蚀时间为20-150s;
3)在上述制备的具有弹坑状表面形貌的ZnO薄膜层上,采用蒸发、溅射、分子束外延或脉冲激光沉积方法再沉积一层银薄膜层;
4)在上述银薄膜层上,采用蒸发、溅射、分子束外延或脉冲激光沉积方法再沉积一层ZnO薄膜作为界面层。
3.一种如权利要求1所述高绒度反射的导电白色背反射电极的应用,其特征在于:作为背反射电极用于薄膜太阳电池,所述的薄膜太阳电池为非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜太阳电池或多结叠层硅基薄膜太阳电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的