[发明专利]一种LED荧光激发光源系统在审
申请号: | 201210481449.5 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103836387A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 熊大曦;杨西斌 | 申请(专利权)人: | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V23/00;F21V13/02;F21Y101/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 荧光 激发 光源 系统 | ||
技术领域
本发明涉及半导体光源照明技术领域,尤其涉及LED荧光激发光源系统领域。
背景技术
近年来,荧光检测技术已经广泛应用于科研与生产的各个方面,激光诱导荧光光谱、LED荧光显微镜、红外荧光检测技术等发展日趋成熟,定量化检测与定性化检测仪器的研发日益完善。荧光激发光源作为荧光检测设备中的关键核心部件,直接影响着荧光检测的适用范围、检测精度。传统的荧光激发光源,如高压汞灯和氙灯,存在做多问题,如高压汞灯发射光谱不连续,不能实现全谱段激发,而氙灯虽然解决了连续光谱的问题,但是却存在启动电压高、寿命短、体积大、成本高等缺点。
LED光源,具有启动时间短、亮度高、能耗低、体积小、寿命长、安全性高等优点,正在逐步取代传统汞灯、卤钨灯、氙灯等高能耗、短寿命的光源,在照明领域获得了广泛的应用。本发明的LED光源为超高亮度光源,单位面积光功率高,可定制发光面型,而且发光波长丰富,可实现多种波长激发,与上述传统光源相比具有很大的优势。
配合本发明中提出的驱动电源、控制系统及光学系统,本发明将实现全光谱波段激发光出射,获得对目标照明物体的高亮度、高均匀性照明。
发明内容
为克服现有技术存在的不足,本发明的主要目的就是设计一种LED荧光激发光源系统,包括驱动电源、控制系统、LED光源、光学系统等部分,所述光学系统包括匀光耦合系统和导光介质。通过驱动电源、控制系统及后端光学系统,获得多种不同激发波段的高亮度光出射,并提高光源与后续光学系统的匹配能力。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,至少包括驱动电源、控制系统、LED光源、光学系统等部分组成,所述光学系统包括匀光耦合系统和导光介质。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,驱动电源可以提供超大电流供电,产生超高亮度光发射。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,其控制系统能够控制LED光源芯片独立发光,各发光芯片之间互不影响。
优选的,所述的一种LED荧光激发光源系统,其LED光源至少包含2种或以上发光波段,发光光谱范围可以覆盖紫外、可见和红外部分。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,LED光源的发光芯片可以形成并联结构分别控制分时发光,也可以形成串联结构同时发光。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,LED光源芯片的发光形状可以进行定制,实现矩形、圆形及其它多种不规则几何形状发光面的定制。
优选的,所述一种LED荧光激发光源系统,光学系统部分,可同时提高能量耦合效率和出射光均匀度。
附图说明
图1为本发明一种LED荧光激发光源系统的多芯片封装LED光源结构示意图。
图2为本发明一种LED荧光激发光源系统的发光光谱形状示意图。
图3为本发明一种LED荧光激发光源系统的光学系统结构示意图。
图4为本发明一种LED荧光激发光源系统的系统整体构造示意图。
主要元件标记说明。
1:LED发光芯片。
2:基板。
3:光学耦合器。
4:光传输介质。
5:夹具。
6:驱动电源。
7:控制系统。
8:控制旋钮。
9:散热系统。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本发明的五种技术方案进行具体的说明。
实施例1。
图1展示了本发明一种LED荧光激发光源系统的多芯片封装LED光源结构示意图,其中基板(2)上封装有芯片(1),芯片(1)数量可根据需要改变。基板(2)为芯片(1)的散热基底,与芯片(1)阳极焊接在一起,形成共阳极结构;半导体光源的阴极通过基板上的布线连接到半导体光源芯片(1)上。驱动电源对芯片(1)进行大电流密度供电,获得超大功率光输出,单位面积光通量可达1-500 lm/mm2。通过控制电路,分别控制各个芯片分时发光,或多个芯片组合同时发光,获得多种不同波段的激发波长。
实施例2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科医世凯半导体技术有限责任公司,未经苏州科医世凯半导体技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210481449.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。