[发明专利]陶瓷材料、二氧化碳的吸附方法及二氧化碳的转化方法

权利要求书

1.一种陶瓷材料，其由化学式M_1xM_2yO_z表示，其中，M₁选自Nd、Sm、Gd、Yb、Sc、Y、La、Ac、Al、Ga、In、Tl、V、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、Cu、Ca、Sr、Na、Li及K，M₂选自Ce、Zn、Ti、Zr及Si，O表示氧原子，x<0.5，y>0.5，且x+y=1，z<2，且所述陶瓷材料于50℃下对CO₂的吸附量为不低于20μmol/g。

2.如权利要求1所述的陶瓷材料，其于50℃下对CO₂的吸附量为20~99.1μmol/g。

3.如权利要求1所述的陶瓷材料，其比表面积为5~118m²/g。

4.一种二氧化碳的吸附方法，包括：

提供陶瓷材料，所述陶瓷材料为由化学式M_1xM_2yO_z所表示，其中M₁选自Nd、Sm、Gd、Yb、Sc、Y、La、Ac、Al、Ga、In、Tl、V、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、Cu、Ca、Sr、Na、Li及K，M₂选自Ce、Zn、Ti、Zr及Si，O表示氧原子，x<0.5，y>0.5，且x+y=1，z<2；

对所述陶瓷材料进行温控制程，且于所述温控制程中以所述陶瓷材料的氧空位来吸附二氧化碳。

5.如权利要求4所述的二氧化碳的吸附方法，其中所述陶瓷材料利用空间限制法形成，以增加所述陶瓷材料中的氧空位。

6.如权利要求4所述的二氧化碳的吸附方法，其中所述陶瓷材料的比表面积为5~118m²/g。

7.如权利要求4所述的二氧化碳的吸附方法，其中所述陶瓷材料进一步利用热还原法来处理，以增加所述陶瓷材料中的氧空位。

8.如权利要求4所述的二氧化碳的吸附方法，其中在所述温控制程中将温度控制在300℃~1000℃的范围。

9.如权利要求8所述的二氧化碳的吸附方法，其中在将温度控制在300℃~1000℃的范围之前，先将温度控制在0℃~300℃。

10.如权利要求4所述的二氧化碳的吸附方法，其进一步包括将所述陶瓷材料所吸附的二氧化碳转化为一氧化碳的步骤。