[发明专利]用于调整晶圆翘曲的方法和装置有效
申请号: | 201210480122.6 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103426724A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 黄晖闵;林志伟;吕文雄;郑明达;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 调整 晶圆翘曲 方法 装置 | ||
1.一种调整晶圆的翘曲的方法,所述方法包括:
提供具有中心部分和边缘部分的晶圆;
提供其上具有用于保持所述晶圆的保持区的保持台;
将所述晶圆放置在所述保持台上,其中所述中心部分高于所述边缘部分;
将所述晶圆按压到所述保持区上,使得所述晶圆通过自吸力而吸引并保持在所述保持台上;以及
根据所述晶圆的翘曲量,以预定温度和预定时间加热所述晶圆,从而实现基本平坦的晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述晶圆是复合晶圆。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述复合晶圆包括硅衬底和设置在所述硅衬底上的聚合物层。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:在将所述晶圆放置在所述保持台上之前,以聚合物的玻璃转变温度(Tg)的温度或者高于该温度的温度加热所述晶圆以软化所述聚合物层。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保持台的所述保持区具有凹陷轮廓。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述保持区具有适合于具有预定翘曲轮廓的晶圆的预定凹陷轮廓,以减少所述晶圆中的对应翘曲量,从而实现基本平坦的晶圆或预定的晶圆水平面。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述晶圆通过自吸力保持在所述保持台上而不使用其他力或附加结构。
8.一种调整复合晶圆的翘曲的方法,所述方法包括:
将具有凸起轮廓的复合晶圆放置到具有凹陷状保持区的保持台上,其中所述晶圆的凸起轮廓朝上定向;
将所述晶圆按压在所述保持区上,直至所述晶圆具有凹陷轮廓并通过自吸力保持在所述保持台上;
根据所述晶圆的翘曲量,以预定温度和预定时间加热所述晶圆,从而实现基本平坦的晶圆;以及
冷却所述晶圆。
9.一种调整晶圆的翘曲的装置,所述装置包括:
具有用于保持所述晶圆的保持区的保持台,所述晶圆具有中心部分和边缘部分;以及
加热器,用于当所述中心部分高于所述边缘部分的所述晶圆被按压在所述保持区上并通过吸力保持在所述保持台上时,根据所述晶圆的翘曲量,以预定时间和预定温度加热所述晶圆,从而实现基本平坦的晶圆。
10.一种调整晶圆的翘曲的方法,所述方法包括:
提供具有中心部分和边缘部分的晶圆;
提供其上具有用于保持所述晶圆的保持区的保持台;
将所述晶圆放置在所述保持台上,其中所述中心部分高于所述边缘部分;
将所述晶圆压按到所述保持区上,使得所述晶圆通过所述晶圆的相对侧之间的压差而吸引并保持在所述保持台上;以及
根据所述晶圆的翘曲量,以预定温度和预定时间加热所述晶圆,从而实现基本平坦的晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造