[发明专利]具有多层式存储节点的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的第二区之上形成第一电介质结构以暴露出所述衬底的第一区；

在包括所述第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层；

在所述第一区中的阻挡层之上形成第二电介质结构；

通过刻蚀所述第二电介质结构、所述阻挡层以及所述第一电介质结构而分别在所述第一区和所述第二区中形成第一开口部和第二开口部；

形成填充在所述第一开口部中的第一导电图案和填充在所述第二开口部中的第二导电图案；

形成保护层以覆盖所述第二区；以及

去除所述第二电介质结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一电介质结构的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层之上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层之上形成第一掩模以覆盖所述第二区；以及

利用所述第一掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述第一电介质层和所述刻蚀停止层，以在所述第一区中形成凹陷。

3.如权利要求1所述的方法，其中，利用合并的掩模作为刻蚀阻挡层来形成所述第一开口部和所述第二开口部。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口部具有孔形，所述第二开口部具有沟槽形。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层和所述保护层中的每个包括氮化物层。

6.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述第二电介质结构的步骤包括以下步骤：

在包括所述阻挡层的整个表面之上形成第二电介质层以填充所述凹陷；以及

将所述第二电介质层平坦化，直到暴露出所述第二区中的阻挡层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层以覆盖所述第二区的步骤包括以下步骤：

在包括所述第一导电图案和所述第二导电图案的整个表面之上形成第三电介质层；

在所述第三电介质层之上形成第二掩模以覆盖所述第二区；以及

利用所述第二掩模作为刻蚀阻挡层来去除所述第一区中的第三电介质层。

8.如权利要求1所述的方法，其中，通过湿法浸出工艺来实现去除所述第二电介质结构。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一区包括单元区，所述第二区包括外围电路区。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电图案包括存储节点。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电图案包括金属线。

12.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第一导电图案之上形成第三导电图案，

其中，所述第一导电图案是柱形图案。

13.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在去除所述第二电介质结构之后，通过部分地去除所述第一区与所述第二区之间的边界区中的保护层或阻挡层来形成氢气的通道。

14.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的外围区之上形成第一电介质结构以暴露出所述衬底的单元区；

在包括所述第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层；

在所述单元区中的阻挡层之上形成第二电介质结构；

通过刻蚀所述第二电介质结构、所述阻挡层以及所述第一电介质结构而分别在所述单元区和所述外围电路区中形成第一开口部和第二开口部；

形成填充在所述第一开口部中的第一存储节点和填充在所述第二开口部中的金属线；

形成保护层以覆盖所述外围电路区；

在包括所述保护层的整个表面之上形成模制层；

在所述第一存储节点之上形成第二存储节点以与所述第一存储节点连接并填充在所述模制层中；以及

去除所述第二电介质结构和所述模制层。