[发明专利]电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210477612.0 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN103227157A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 山口佳孝;岩井大介;作山诚树;水野义博;乘松正明;崎田幸惠;浅野高治;广瀬真一;八木下洋平 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L21/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;全万志
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子器件,包括:

半导体器件;

设置在所述半导体器件上方的导热树脂,所述导热树脂包括热导体和树脂;

设置在所述导热树脂上方的线形碳件,所述线形碳件待与所述热导体热接触;以及

设置在所述线形碳件上方的散热器,所述散热器包括具有所述导热树脂的凹部。

2.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述线形碳件覆盖所述凹部的开口的一部分。

3.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述线形碳件以分散的方式设置在所述导热树脂和所述散热器之间。

4.根据权利要求3所述的电子器件,

其中所述树脂覆盖所述散热器的朝向所述半导体器件的表面中比其中分散有所述线形碳件的区域更大的区域。

5.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述凹部的开口的宽度小于所述线形碳件的长度。

6.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述凹部包括具有如下形状的孔:所述形状中开口的尺寸随着所述凹部的深度增加而减小。

7.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述凹部是线形槽。

8.根据权利要求1所述的电子器件,

其中所述凹部是通孔。

9.根据权利要求1所述的电子器件,

其中对于所述凹部的开口的面积,所述线形碳件的覆盖率是10%至50%。

10.一种制造电子器件的方法,包括:

在半导体器件上设置包括热导体和树脂的导热树脂;

用线形碳件覆盖形成在散热器中的凹部的开口的一部分;以及

通过将覆盖有所述线形碳件的所述散热器压靠所述导热树脂来用所述导热树脂填充所述凹部。

11.根据权利要求10所述的方法,

其中所述凹部的至少一部分是通孔。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括:

用所述树脂从所述通孔的一个开口填充所述通孔;以及

从所述通孔的另一开口排出空气。

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