[发明专利]对准标记及其制造方法

权利要求书

1.一种对准标记，其特征在于，所述对准标记形成在半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有用于隔离相邻两个有源区的隔离结构，所述半导体衬底及隔离结构上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有接触孔且在对应所述隔离结构的位置形成有第一沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述接触孔的宽度但小于所述隔离结构的宽度，且所述第一沟槽的底壁位于所述隔离结构表面下方，所述层间介质层、接触孔及第一沟槽上形成有金属层，所述金属层将所述接触孔填满，且所述金属层的表面在对应所述第一沟槽的位置形成有第一凹坑，所述第一凹坑作为所述对准标记。

2.根据权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述金属层包括第一金属层及第二金属层，其中，所述第一金属层将所述接触孔填满并覆盖在所述第一沟槽的侧壁及底壁上，所述第一金属层的表面在对应所述第一沟槽的位置形成有第二凹坑，所述第二金属层形成在所述层间介质层及第一金属层上，所述第二金属层的表面在对应所述第二凹坑的位置形成有所述第一凹坑。

3.根据权利要求1或2所述的对准标记，其特征在于，所述隔离结构内形成有位置与所述第一沟槽对应的第二沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述隔离结构的宽度但大于所述第一沟槽的宽度，所述第一沟槽与第二沟槽之间填充有所述层间介质层，所述第二沟槽的底壁位于所述隔离结构表面下方，所述第一沟槽的底壁位于所述第二沟槽的底壁下方。

4.根据权利要求2所述的对准标记，其特征在于，所述第一金属层的材料为钨。

5.根据权利要求2所述的对准标记，其特征在于，所述第二金属层的材料为铝。

6.根据权利要求1或2所述的对准标记，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构，所述层间介质层的材料为氧化硅。

7.一种对准标记的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有用于隔离相邻两个有源区的隔离结构；

在所述半导体衬底及隔离结构上形成层间介质层；

对所述层间介质层进行平坦化处理，在所述层间介质层内形成接触孔并在对应所述隔离结构的位置形成第一沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述接触孔的宽度但小于所述隔离结构的宽度，且所述第一沟槽的底壁设置在所述隔离结构表面下方；

在所述层间介质层、接触孔及第一沟槽上形成金属层，所述金属层将所述接触孔填满，且所述金属层的表面在对应所述第一沟槽的位置形成有第一凹坑，所述第一凹坑作为所述对准标记。

8.根据权利要求7所述的对准标记的制造方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之前还包括步骤：

进行离子注入以在所述半导体衬底内形成源极和漏极，在进行所述离子注入的步骤中，部分所述隔离结构暴露在注入离子下；

离子注入之后，在所述半导体衬底及隔离结构上形成金属硅化物阻挡层；

对所述金属硅化物阻挡层进行过刻蚀，以在图形化金属硅化物阻挡层的同时在所述隔离结构内形成第二沟槽，所述第二沟槽的位置与暴露在注入离子下的隔离结构部分对应，所述第二沟槽的宽度小于所述隔离结构的宽度，且所述第二沟槽的底壁位于所述隔离结构表面下方；

在所述半导体衬底及第二沟槽上形成阻挡层。

9.根据权利要求8所述的对准标记的制造方法，其特征在于，在所述层间介质层内形成接触孔并在对应所述隔离结构的位置形成第一沟槽的步骤包括：

在所述层间介质层上形成图形化光刻胶层，以所述图形化光刻胶层为掩模对层间介质层进行刻蚀，在层间介质层内形成接触孔，并在对应所述第二沟槽的位置形成第一沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述接触孔的宽度，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，且所述第二沟槽与第一沟槽之间填充有所述层间介质层；

对所述接触孔及第一沟槽下方的阻挡层进行过刻蚀，以在去除阻挡层的同时去除阻挡层下方的部分隔离结构，将所述第一沟槽的底壁延伸至所述第二沟槽的底壁下方。

10.根据权利要求8所述的对准标记的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构，所述离子注入的工艺参数包括：注入离子的剂量为1E14cm^-2-1E16cm^-2，能量为10KeV-100KeV。

11.根据权利要求10所述的对准标记的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层的材料为氧化硅。