[发明专利]一种进气结构及等离子体工艺设备无效
| 申请号： | 201210477227.6 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103068137A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 席峰;胡冬冬;李楠;汪明刚;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 等离子体 工艺设备 | ||
1.一种进气结构，其特征在于：包括不锈钢进气管及设置在所述不锈钢进气管下方的圆柱形的匀气筒，所述匀气筒包括筒身及设置在所述筒身上端的台阶结构，所述匀气筒下端为封闭的，所述匀气筒的筒身上均匀分布若干匀气孔。
2.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气筒的内径为5～980mm，所述匀气筒的筒身的外径为8～1000mm，所述台阶结构的外径为10～1200mm，所述台阶结构的外径大于所述匀气筒的筒身的外径；所述匀气筒的高度为10～1000mm，其中，所述台阶结构的高度为5～500mm。
3.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气筒由绝缘材料制成，所述绝缘材料为聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。
4.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气筒的耐温范围为-300～3000℃。
5.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气筒的筒身上均匀分布2～1000000个匀气孔。
6.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气筒的筒身上均匀分布1～10000行匀气孔。
7.如权利要求1所述的进气结构，其特征在于：所述匀气孔的直径为0.05～100mm。
8.一种等离子体工艺设备，包括腔室和进气结构，其特征在于：所述进气结构设置在所述腔室的上端；所述进气结构包括不锈钢进气管及与设置在所述不锈钢进气管下方的圆柱形的匀气筒，所述匀气筒包括筒身及设置在所述筒身上端的台阶结构，所述匀气筒下端为封闭的，所述匀气筒的筒身上均匀分布若干匀气孔；所述腔室的上盖设有台阶孔，所述台阶孔与所述匀气筒上端的台阶结构相配合。
9.如权利要求8所述的等离子体工艺设备，其特征在于：所述不锈钢进气管与所述腔室的上盖法兰联接，所述法兰联接采用橡胶圈密封或刀口法兰联接。
10.如权利要求8所述的等离子体工艺设备，其特征在于：所述匀气筒由绝缘材料制成，所述绝缘材料为聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。
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