[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：在包括伪栅极的半导体衬底上依次形成先进图案化薄膜、金属硬掩膜、底部抗反射层和光刻胶层；

步骤S102：对所述光刻胶层和底部抗反射层进行曝光、显影处理，形成图形化的光刻胶和底部抗反射层，其中，所述图形化的光刻胶和底部抗反射层未覆盖所述伪栅极；

步骤S103：刻蚀去除所述金属硬掩膜未被所述图形化的光刻胶和底部抗反射层覆盖的部分；

步骤S104：刻蚀去除所述先进图案化薄膜未被所述图形化的底部抗反射层覆盖的部分，暴露出所述伪栅极，所述先进图案化薄膜避免所述刻蚀对所述伪栅极的破坏；

步骤S105：刻蚀去除所述伪栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中所形成的所述先进图案化薄膜为无定形碳或者不含N的碳。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中所形成的所述先进图案化薄膜的厚度为

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中所形成的所述金属硬掩膜的材料为TiN、Ti、Ta或TaN。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中所形成的所述金属硬掩膜的厚度为

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中所形成的所述底部抗反射层为可以显影的有机底部抗反射层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，在形成所述金属硬掩膜之后形成所述底部抗反射层之前，还包括对所述金属硬掩膜进行基于氧的表面处理以在其表面形成氧化物薄膜的步骤。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述表面处理为等离子体处理或者激光退火。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，在去除所述金属硬掩膜未被所述图形化的光刻胶和底部抗反射层覆盖的部分的同时，一并去除所述图形化的光刻胶的一部分。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，在刻蚀去除所述先进图案化薄膜未被所述图形化的底部抗反射层覆盖的部分的同时，一并去除所述图形化的底部抗反射层。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，采用的刻蚀工艺为干法刻蚀，所使用的反应气体包括CO、O2、CO2、SO2、N2、H2、NH3或者它们的组合。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，在刻蚀去除所述伪栅极的同时，一并去除所述金属硬掩膜。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，进行刻蚀时所使用的反应气体包括CL2和HBr。

14.如权利要求1至13任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述半导体衬底包括的所述伪栅极为NMOS的伪栅极，或者PMOS的伪栅极，或者NMOS和PMOS的伪栅极。

15.如权利要求1至13任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：在所述伪栅极原来的位置形成金属栅极。

16.如权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S106包括：

步骤S1061：在所述伪栅极原来的位置填充金属；

步骤S1062：通过CMP去除多余的金属以形成所述金属栅极。