[发明专利]一种电流源启动电路无效

专利信息
申请号: 201210476192.4 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN103019290A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 谢卫国 申请(专利权)人: 江苏格立特电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 223900 江苏省宿迁市泗*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 启动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路设计领域,具体涉及一种电流源。

背景技术

在集成电路的设计中,电流源电路的启动问题如果没有处理好,会影响整个系统的稳定以及其正常工作,如图1所示的由MOS管M1、M2、M3、M4和电阻R1组成的典型的电流源电路,需要由MOS管M5以及其他器件组成的启动电路来启动,所述启动电路在电流源工作时仍需要消耗电能,增加了低功耗产品的功耗,也增加了器件成本。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种电流源启动电路,可以解决现有技术的电流源启动电路增加产品功耗和器件成本的问题。

本发明通过以下技术方案实现:

一种电流源启动电路,包括芯片的电流源主体部分,所述电流源主体部分由启动电路提供启动电压,所述启动电路包括PMOS管,所述PMOS管的源极接电源VDD,漏极与电流源主体部分相连,栅极通过延时电路接收启动信号。

本发明的进一步方案是,启动信号为启动系统的使能信号或者复位电路发出复位信号。

本发明的进一步方案是,PMOS管为增强型PMOS管。

本发明的进一步方案是,电流源主体部分包括个MOS管和个电阻,

其中,第一MOS管为增强型PMOS管,源极接电源VDD,漏极与栅极相连;

第二MOS管为增强型PMOS管,源极连接至电源VDD,并分别与第一MOS管和启动电路的PMOS管的源极相连,所述第二MOS管栅极与第一MOS管的栅极相连;

第三MOS管为增强型NMOS管,源极接地,漏极与栅极相连,并分别与第二MOS管的漏极以及启动电路的PMOS管的漏极相连;

第四MOS管为增强型NMOS管,源极经电阻与第三MOS管的源极相连并接地,栅极与第三MOS关的栅极相连,漏极与第一MOS管的漏极相连。

本发明与现有技术相比的优点在于:

直接利用芯片的使能信号或复位信号来实现电流源的启动,降低功耗,同时也降低芯片的器件成本。

附图说明

图1为现有技术的电流源及启动电路的电路结构图。

图2为本发明所述的电流源启动电路的电路结构图。

具体实施方式

如图2所示的一种电流源启动电路,包括芯片的电流源主体部分1,所述电流源主体部分1由启动电路2提供启动电压,所述启动电路2包括PMOS管21,所述PMOS管21的源极接电源VDD,漏极与电流源主体部分1相连,栅极通过延时电路22接收启动信号23。

如图2所示,启动信号23为启动系统的使能信号或者复位电路发出复位信号。

如图2所示,PMOS管21为增强型PMOS管。

如图2所示,电流源主体部分1包括4个MOS管和1个电阻,

其中,第一MOS管11为增强型PMOS管,源极接电源VDD,漏极与栅极相连;

第二MOS管12为增强型PMOS管,源极连接至电源VDD,并分别与第一MOS管11和启动电路2的PMOS管21的源极相连,所述第二MOS管12栅极与第一MOS管11的栅极相连;

第三MOS管13为增强型NMOS管,源极接地,漏极与栅极相连,并分别与第二MOS管12的漏极以及启动电路2的PMOS管21的漏极相连;

第四MOS管14为增强型NMOS管,源极经电阻15与第三MOS管13的源极相连并接地,栅极与第三MOS关13的栅极相连,漏极与第一MOS管11的漏极相连。

芯片通电时,复位信号输出一个电压,经延时电路使PMOS管21导通,继而第三MOS管13和第四MOS管14导通,第一MOS管11和第四MOS管14的回路导通,产生电流,电流源启动成功;当达到延时电路的预定时间时,PMOS管21切断,启动电路2停止工作,电流源电路一直导通,不受启动电路2影响,达到了启动的要求。

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