[发明专利]一种抗干扰复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，具体涉及一种复位电路。

背景技术

在集成电路的设计中，芯片的抗干扰问题不容忽视，在芯片带动较大的驱动电路时，驱动会对电源产生影响；复位电路的功能是保证芯片能够正常初始化，在利用电容的电压不突变原理，通过P-MOS管对电源充电实现初始化功能的复位电路中，由于P-MOS管处于导通状态，如果电源波动较大，或波动时间较长，会使内部电路产生误复位，造成芯片的功能混乱。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种抗干扰复位电路，可以解决现有技术因P-MOS管导通，在电源波动情况下导致内部电路误复位的问题。

本发明通过以下技术方案实现：

一种抗干扰复位电路，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。

本发明与现有技术相比的优点在于：

一、利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的；

二、结构简单，实施方便，不影响芯片的成本。

附图说明

图1为现有技术的复位电路的电路结构图。

图2为本发明所述的抗干扰复位电路的电路结构图。

具体实施方式

如图1所示的复位电路，包括源极与电源6连接、漏极与一端接地的电容器2连接的PMOS管1，所述PMOS管1和电容器2的连接点与反相器3、4、5串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端7连接外电路，所述PMOS管1的栅极接地。

如图2所示的抗干扰复位电路，与图1相比的区别在于：PMOS管1的栅极连接于反相器4和反相器5的连接点；当芯片通电时，电容器2两端的电压为0，经过两个反相器3、4控制PMOS管1导通对电容器2进行充电使芯片进入复位状态，复位过程结束后，电容器2上电压为VDD，经过3、4反相器切断PMOS管，电容器2上的电压VDD保持，即使电源6的电压有波动，也不会对电容器2上的电压产生影响，芯片也就不会有误复位的情况，达到提高抗干扰性的目的。