[发明专利]一种石墨舟预处理替代片及石墨舟预处理方法无效
申请号: | 201210475475.7 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN103824795A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 王在发;陈磊;何悦;何双权 | 申请(专利权)人: | 尚德太阳能电力有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C16/458;C23C16/34 |
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地址: | 201112 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 预处理 替代 方法 | ||
1.一种石墨舟预处理替代片,用于石墨舟清洗后的预处理,所述石墨舟包括多个层叠设置的舟片,所述每一舟片上包括多个用于承载工件片的工艺卡点,其特征在于,所述石墨舟预处理替代片的形状与所述工艺卡点相匹配,其边缘区域厚度范围为100~300μm,其中心区域厚度范围为1~3mm。
2.根据权利要求1所述的石墨舟预处理替代片,其特征在于,所述石墨舟预处理替代片为边长为125mm或156mm的正方形,所述正方形的边缘区域为楔形,所述楔形的末端厚度为100~300μm。
3.根据权利要求2所述的石墨舟预处理替代片,其特征在于,所述每一替代片对应三个工艺卡点,所述工艺卡点分别支撑在每一替代片的三个侧面,所述每一代替片通过对应的工艺卡点倾斜5至10度设置在舟片上。
4.根据权利要求1所述的石墨舟预处理替代片,其特征在于,所述石墨舟预处理替代片的材质为石墨或碳纤维。
5.一种石墨舟预处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:a、提供一进行预处理的石墨舟,所述石墨舟上具有多个工艺卡点;b、提供与石墨舟数量相匹配的如权利要求1至3项任一项所述的石墨舟预处理替代片;c、将所述石墨舟预处理替代片设置在所述石墨舟的工艺卡点上;d、将所述石墨舟设置到化学气相沉积设备中沉积氮化硅。
6.根据权利要求5所述的石墨舟预处理方法,其特征在于,在步骤c中,所述化学气相沉积设备为等离子增强化学气相沉积设备。
7.根据权利要求5所述的石墨舟预处理方法,其特征在于,该方法还包括步骤e、通过氢氟酸溶液对所述石墨舟预处理替代片进行清洗。
8.根据权利要求7所述的石墨舟预处理方法,其特征在于,步骤e是在进行4至6次步骤d中氮化硅沉积后再进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造