[发明专利]激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的材料及方法无效
申请号: | 201210475108.7 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN103833350A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 沈新荣 | 申请(专利权)人: | 沈新荣 |
主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/478;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 李大刚 |
地址: | 313012 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 制备 钛酸钙铝 电子 功能 陶瓷 材料 方法 | ||
1.激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,按照(1-x):x:1的摩尔比称取碳酸钙、碳酸铝和二氧化钛,混合,烘干,用球磨机干磨2小时,然后加适量去离子水湿磨3小时,取出烘干,加粘结剂塑化、造粒,在35MPa压力下压坯,保压8min;生坯在70℃温度下干燥2小时,再在250℃温度下干燥5小时,随炉冷却;取出样品,用宽带二氧化碳激光直接烧结,即制得钛酸钙铝电子功能陶瓷;其中,x表示摩尔质量分数,0﹤x﹤1。
2.根据权利要求1所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,所述的碳酸钙、碳酸铝和二氧化钛的纯度均为99%以上。
3.根据权利要求1所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,二氧化碳激光烧结过程中,宽带激光密度为0.15kW/c㎡~0.25 kW/c㎡,采用双面烧结。
4.根据权利要求1或3所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,二氧化碳激光烧结过程中,宽带激光输出功率为350W,扫描速度为100mm/min,光斑面积为14*2m㎡,离焦量为315mm。
5.根据权利要求1所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,所用的粘接剂是浓度为5%的聚乙烯醇溶液。
6.根据权利要求5所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法,其特征在于,所述的聚乙烯醇的聚合度为1850。
7.根据权利要求1~6任一项所述的激光制备钛酸钙铝电子功能陶瓷的方法制得的钛酸钙铝电子功能陶瓷材料。
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