[发明专利]一种空心微米笼结构MoO3纳米材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210474762.6 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN102992404A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 贺琼瑶;曾文;吴明玉;苟中平;苗斌 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;B82Y40/00
代理公司: 重庆志合专利事务所 50210 代理人: 胡荣珲
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 空心 微米 结构 moo sub 纳米 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于功能材料技术领域,具体涉及一种空心微米笼结构MoO3纳米材料的制备方法。

背景技术

近年来,过渡金属氧化物,例如MoO,WO3, NiOx,和V2O5,因其特殊的光学、磁学和电学特征受到广泛的关注。作为研究最深、应用最广的钼化合物,三氧化钼(MoO3)是一种重要的宽带隙(3.2 eV)n型半导体功能材料。MoO3具有层状结构和框架,存在着广延的通道,可用作离子的流通渠道和嵌入位置。开放的MoO3晶体结构和它的水化物都是H+、Li+及其他离子的良好离子注入主体。另外,MoO3薄膜在可见光区的良好的吸收能力和良好的可逆变色性。这些优良的特性使其在光致变色和电致变色、气体传感、锂离子电池存储以及场效应装置等领域有广阔的应用前景。

目前,制备不同形貌的半导体金属氧化物引起了人们的广泛关注,如纳米线,纳米管,纳米带,纳米花,纳米纤维,纳米球等形貌,这类材料具有较高的表面~体积比,比传统的纳米颗粒具有更加优异的物理化学性能,表现出更加广泛的应用前景。不同形貌半导体的制备方法主要有:化学气相沉积、阳极氧化、电泳沉积等。然而这些方法常常需要较高的温度、压强使得过程难以控制,并不适合于大量的工业生产,并且最终产物的分散性,纯度都不是很理想。而水热法具有操作简单、能耗低和产物均匀等特点被广泛应用于制备不同形貌纳米半导体功能材料。然而,目前关于水热法合成纳米三氧化钼的报道相对较少,如何通过水热工艺的调节,可控制具备特殊形貌的三氧化钼纳米材料仍是目前纳米合成技术领域的研究热点之一。

发明内容

本发明的目的提供一种空心微米笼结构MoO3纳米材料的制备方法,该方法简单,成本低廉,反应周期短,易产业化,所制备的空心微米笼状MoO3纳米材料有较大的表面积和较小的晶体尺寸,不易团聚,性能稳定,具有广泛的应用前景。

本发明所述空心微米笼结构MoO3纳米材料的制备方法,采用水热法工艺,其方法是首先配制一定浓度的 (NH4)6Mo7O24溶液,搅拌一定时间后再向其中添加一定量的K3PO4。待完全溶解后,用HNO3溶液来调节pH值。每次添加药品后都需要搅拌一定时间。所得溶液经过加热、离心、洗涤、干燥、研磨后得到纳米三氧化钼材料。具体步骤如下:

(1)配制0.02mol/L的(NH4)6Mo7O24,该溶液在磁力搅拌器搅拌10~20分钟;然后添加0.1~0.6克的K3PO4(磷酸钾)固体,再用磁力搅拌器搅拌30~60分钟; 

(2)向上述混合溶液中滴加HNO3溶液,调节溶液pH值为1-3,再用磁力搅拌器搅拌30~60分钟;

(3)将步骤(2)所得溶液转移到水热釜中,在160~200℃之间温度范围内加热18-24小时后随炉冷却。将所得溶液离心2-4分钟,所得沉淀洗涤处理后,在60~80℃温度范围内干燥20~30小时,再将其研磨成粉体,即可得到此空心微米笼结构MoO3纳米材料。

本发明中,所制备的0.02mol/L的(NH4)6Mo7O24溶液,是指向无水乙醇中添加适量的去离子水,其体积比为去离子水:乙醇=1:1~3,再向此溶剂中加入(NH4)6Mo7O24·4H2O固体后所得。

向上述混合溶液中滴加HNO3溶液,调节溶液pH值为1~3,用2.2mol/L的HNO3溶液调节。

沉淀洗涤处理是分别用去离子水、无水乙醇各清洗6~8次,以去除纳米MoO3粉体中附着的离子和有机物。

本发明的有益效果在于:

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