[发明专利]GaN基LED制造工艺中的一种背面金属反射层阵列的制作方法

权利要求书

1.一种GaN基LED制造工艺中的金属反射层阵列的制作方法，所述GaN基LED包括衬底、外延层、透明电极层、金属电极层和氧化物保护层，其中所述金属反射层阵列的制作方法包括步骤：

用光刻胶在衬底的、与所述外延层相对的另一面上制备阵列图形掩模；

通过刻蚀工艺，借助于所述阵列图形掩模，在衬底上刻蚀出阵列图形结构；

在所述阵列图形结构上形成金属反射层；

去除光刻胶以便对光刻胶表面的金属反射层进行剥离，从而得到最终的金属反射层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺采用的是干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺采用的是ICP刻蚀设备。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“用光刻胶在衬底的、与所述外延层相对的另一面上制备阵列图形掩模”包括步骤：

在衬底的、与所述外延层相对的另一面上形成光刻胶层，其中所述形成光刻胶层进一步包括涂胶和前烘；

利用光刻掩模，通过对光刻胶层进行曝光操作、显影操作而制备阵列图形掩模。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底是蓝宝石衬底，所述外延层包括N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，所述金属反射层是具有低吸收率和高反射率的金属层，所述透明电极层是ITO电极层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属反射层由以下金属材料或者以下金属材料的合金而制成：Al、Au、Ag、Ni、W、Ti和Pt；所述金属电极层由以下金属材料或者以下金属材料的合金而制成：Ni、Au、Ti、Al。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“在所述阵列图形结构上形成金属反射层”的操作包括以下步骤：通过蒸镀工艺而在所述阵列图形结构上沉积金属反射层，通过真空溅射工艺而在所述阵列图形结构上形成金属反射层。

7.一种GaN基LED，包括衬底、外延层、透明电极层、金属电极层和氧化物保护层，其中在所述GaN基LED的衬底的、与所述外延层相对的另一面上具有按照权利要求1所述的制作方法而制作的金属反射层。

8.根据权利要求7所述的GaN基LED，其特征在于，所述衬底是蓝宝石衬底，所述外延层包括N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，所述金属反射层是具有低吸收率和高反射率的金属层，所述透明电极层是ITO电极层。

9.根据权利要求8所述的GaN基LED，其特征在于，所述金属反射层由以下金属材料或者以下金属材料的合金而制成：Al、Au、Ag、Ni、W、Ti和Pt。

10.根据权利要求7所述的GaN基LED，其特征在于，所述金属电极层由以下金属材料或者以下金属材料的合金而制成：Ni、Au、Ti、Al。