[发明专利]硅衬底上氮化镓生长方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

硅衬底；

第一III-V族化合物半导体块层，位于所述硅衬底上方；

中间层，位于所述第一III-V族化合物半导体块层上方；以及

第二III-V族化合物半导体块层，位于所述中间层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：梯度III-V族超晶格层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：AlN成核层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述中间层由AlN制成。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一III-V族化合物半导体块层为GaN。

6.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底上方外延生长第一块状III-V族化合物半导体层；

在所述第一块状III-V族化合物半导体层上方外延生长中间层；以及

在所述中间层上方外延生长第二块状III-V族化合物半导体层。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

外延生长具有降低的铝浓度和增加的镓浓度的梯度III-V族层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，使用大约10至大约300托的工艺压力外延生长所述中间层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述梯度III-V族层的厚度为大约0.5微米至大约3微米。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述硅衬底上外延生长两个以上的III-V族化合物半导体层。