[发明专利]光纤对准器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光纤对准器件，其特征在于，包括：

一衬底结构，该衬底结构为硅衬底或玻璃衬底；

至少一沟槽，形成于所述衬底结构上；

一封闭薄片，形成于所述衬底结构表面并从顶部将所述沟槽封闭，各所述沟槽的长度方向的两侧供光纤插入；

各所述沟槽的宽度和深度都根据光纤直径的大小进行设置，设置范围为各所述沟槽的宽度和深度为126.3μm～150μm，使光纤插入到所述沟槽中后能和所述沟槽的两个侧面、底面和顶面都相切。

2.如权利要求1所述的光纤对准器件，其特征在于：各所述沟槽之间在长度方向呈平行排列结构。

3.如权利要求1或2所述的光纤对准器件，其特征在于：在各所述沟槽的长度方向上，各所述沟槽各位置处的宽度相同。

4.如权利要求1或2所述的光纤对准器件，其特征在于：在各所述沟槽的长度方向上，各所述沟槽中间区域的宽度相同、各所述沟槽的两侧的宽度大于中间区域的宽度，用于方便光纤的插入。

5.一种光纤对准器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一衬底结构，该衬底结构为硅衬底或玻璃衬底；

步骤二、在所述衬底结构上形成一硬质掩模层；

步骤三、采用光刻工艺在所述硬质掩模层上用光刻胶定义出一个以上的沟槽的图形结构，各所述沟槽的宽度根据光纤直径的大小进行设置，设置范围为各所述沟槽的宽度和深度为126.3μm～150μm，使光纤插入到所述沟槽中后能和所述沟槽的两个侧面都相切；

步骤四、以所述光刻胶为掩模依次对所述硬质掩模层和所述衬底结构进行刻蚀形成各所述沟槽，各所述沟槽的刻蚀深度根据光纤直径的大小进行设置，使光纤插入到所述沟槽中后能和所述沟槽的底面和顶面都相切；

步骤五、依次去除所述光刻胶和所述硬质掩模层；

步骤六、在所述衬底结构的表面形成封闭薄片，该封闭薄片从顶部将所述沟槽封闭，各所述沟槽的长度方向的两侧供光纤插入。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述衬底结构为硅衬底时，所述硬质掩模层的材料为二氧化硅或氮化硅；所述衬底结构为玻璃衬底时，所述硬质掩模层的材料为多晶硅或氮化硅。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤四中各所述沟槽之间在长度方向呈平行排列结构。

8.如权利要求5或7所述的方法，其特征在于：在各所述沟槽的长度方向上，各所述沟槽各位置处的宽度相同。

9.如权利要求5或7所述的方法，其特征在于：在各所述沟槽的长度方向上，各所述沟槽中间区域的宽度相同、各所述沟槽的两侧的宽度大于中间区域的宽度，用于方便光纤的插入。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述封闭薄片为平整度在20×20平方毫米范围内小于1微米的硬质材料，该硬质材料为二氧化硅、氮化硅、塑料、单晶硅或多晶硅。