[发明专利]画素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种画素结构及其制作方法，且特别是有关于一种具有储存电容的画素结构及其制作方法。

背景技术

由于显示器的需求与日俱增，加上近年来绿色环保概念的兴起，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)已逐渐成为显示器市场的主流。为了满足使用者的需求，薄膜晶体管液晶显示器的性能不断朝向高对比度(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、高亮度 (high luminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应、显示画面稳定与广视角等特性发展。

一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由分别配置有画素数组与彩色滤光数组的两基板以及配置于此两基板间的液晶层所组成。现有技术中的画素结构包括薄膜晶体管、画素电极以及储存电容下电极。画素电极电性连接薄膜晶体管。储存电容下电极与画素电极构成一储存电容，以维持画素结构显示影像的稳定。由于储存电容的电容值与TFT-LCD画素的充放电特性息息相关，储存电容过大可能会有充电不足的问题；太小则易造成显示画面的闪烁。然而，TFT-LCD的薄膜晶体管数组基板所使用的扫描配线、数据配线及储存电容下电极配线一般是采遮光的金属材质，而金属材质的配线将遮蔽光线透过，其大大的限制了产品的光利用效率，并使得背光模块的消耗功率增加。若是通过减少扫描配线、数据配线的幅宽来提升TFT-LCD光利用效率，将使得TFT-LCD配线的RC负载增加，造成讯号传递的失真；而通过减少储存电容电极的幅宽来提升TFT-LCD光利用效率，则可能因储存电容不符需求，而造成显示画面闪烁，影响显示质量。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的是提供一种可增加储存电容值画素结构及其制作方法。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种画素结构，配置于一基板上，该画素结构包括：

一闸极，配置于所述基板上；

一电容电极，配置于所述的基板上；

一电容透明电极，配置于所述的基板上，且覆盖所述电容电极与部分的基板；

一闸绝缘层，配置于所述基板上，且覆盖闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具

有一开口，且该开口暴露出部分电容透明电极；

一半导体层，配置于所述闸绝缘层上，且位于所述闸极的上方；

一源极，配置于所述闸绝缘层上；

一汲极，配置于所述闸绝缘层上，其中源极与该汲极暴露出部分半导体层；

一保护层，配置于所述闸绝缘层上，且覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，其中该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；

以及一画素电极，配置于该保护层上，该画素电极透过所述接触窗与汲极电性连接，其中该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域构成的一储存电容。

所述闸极与电容电极为同一膜层。

所述电容透明电极的材质是铟锡氧化物或铟锌氧化物。

所述闸极、源极以及汲极构成一底闸型薄膜晶体管。

为了实现前述目的，本发明还提供一种画素结构的制作方法，其包括：

形成一闸极与一电容电极于一基板上；

形成电容透明电极于所述基板上，其中该电容透明电极覆盖所述电容电极与部分该基板；

形成一闸绝缘层于所述基板上，其中该闸绝缘层覆盖所述闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分该电容透明电极；

形成一半导体层于闸绝缘层上，且半导体层位于闸极的上方；   

形成一源极与一汲极于所述闸绝缘层上，且源极与该汲极暴露出部分半导体层；

形成一保护层于所述闸绝缘层上，且该保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；

形成一画素电极于该保护层上，且该画素电极穿过所述接触窗与所述汲极电性连接，且该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间形成具有一重迭区域构成的一储存电容。

所述闸极与该电容电极为同一膜层。

所述电容透明电极的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。

所述形成闸极与电容电极的步骤，包括：

形成一第一金属层于该基板上；以及