[发明专利]晶体管、显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及适合于半导体层由有机半导体材料形成的情况的晶体管、显示装置和电子设备。

具体地，本发明涉及在薄膜晶体管（TFT）的上侧上具有电极（例如像素电极）的显示装置和电子设备。

背景技术

薄膜晶体管（TFT）用作大量电子设备（例如显示器）的驱动装置。这种TFT包括设置在衬底上的栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极。TFT的半导体层由无机材料或有机材料形成。由有机材料形成的半导体层（有机半导体层）预期在成本、柔性等方面具有优势，并且正在进行研究（例如，APPLIED PHYSICS LETTERS,2005,87,193508和APPLIED PHYSICS LETTERS,2009,94,055304）。

有源矩阵显示装置（例如，K.Akamatsu等人在SID 11DIGEST第198页（2011））在衬底上以下列顺序包括TFT、层间绝缘膜、像素电极、显示层和公共电极。迄今为止，无机半导体材料（例如非晶硅（α-Si））用于TFT的半导体膜。但是近年来，正在积极地研究使用有机半导体材料的有机TFT。

发明内容

期望能缺陷更少且效率更高地制造这种使用有机半导体材料的TFT。

期望高产量地制造晶体管、显示装置和电子设备。

此外，期望由更低的功率来驱动用于显示装置的TFT。在无机TFT领域中，尽管研究了抑制驱动电压的技术，但是很难将无机TFT的技术用于有机TFT。具体地，期望改进有机TFT的TFT特性。

还期望提供能够由更低功率驱动的显示装置和具有该显示装置的电子设备。

根据本发明的实施例，提供晶体管，其包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。

根据本发明的实施例，提供第一显示装置，其包括多个像素和驱动多个像素的晶体管的显示装置。晶体管包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。

根据本发明的实施例，提供具有显示装置的第一电子设备。显示装置包括多个像素和驱动多个像素的晶体管的显示装置。晶体管包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。

在根据本发明的实施例的晶体管、第一显示装置、和第一电子设备中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。因此，在源漏电极的形成处理之后的制造处理中保护接触层。

根据本发明的实施例，提供第二显示装置，其包括：包括半导体膜的晶体管，半导体膜包括沟道区域；和电极，其电连接到晶体管并覆盖沟道区域。在电极的平面区域内，沟道区域的构成平面形状的侧边中的一对或多对彼此面对的侧边定位成面对电极。

根据本发明的实施例，提供具有显示装置的第二电子设备。显示装置包括：包括半导体膜的晶体管，半导体膜包括沟道区域；和电极，其电连接到晶体管并覆盖沟道区域。在电极的平面区域内，沟道区域的构成平面形状的侧边中的一对或多对彼此面对的侧边定位成面对电极。

在根据本发明的实施例的第二显示装置和第二电子设备中，在电极的平面区域内，沟道区域的至少一对彼此面对的侧边定位成面对电极。因此，沟道区域设置在更靠近电极的中心部分的位置上。

在根据本发明的实施例的晶体管、第一显示装置、和第一电子设备中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。因此，防止接触层在制造处理中受到损坏。因此，抑制由对接触层的损坏造成的制造故障，因此能够提高产量。

在根据本发明的实施例的第二显示装置和第二电子设备中，在电极的平面区域内，沟道区域的至少一对彼此面对的侧边定位成面对电极。因此，改进沟道区域的各向同性。结果，能够提高TFT特性并节约消耗功率。

应当理解，前文的一般描述和下文的详细描述都是示例性的，旨在对要求保护的技术进行进一步说明。

附图说明

附图用来提供对公开内容的进一步理解，并且并入说明书中并组成说明书的一部分。附图示出实施例，并与说明书一起用来解释本发明的原理。