[发明专利]微机电系统器件的制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

S1：提供第一芯片，所述第一芯片包括微机电系统器件层和设置于所述微机电系统器件层上的第一电气键合点，所述微机电系统器件层包括可动敏感部；

S2：提供第二芯片，所述第二芯片包括具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底、设置于所述衬底上并自衬底的第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在所述衬底第二表面上的第二电气键合点，所述衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部，所述隔离部围设在所述电气连接部的外围；

S3：将所述S1步骤提供的第一芯片和所述S2步骤提供的第二芯片键合，所述衬底的第二表面朝向所述第一芯片的微机电系统器件层，所述第一电气键合点与第二电气键合点键合；

S4：将所述S3步骤键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部；

S5：在所述S4步骤减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。

2.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：在所述S26步骤中，形成所述第一电气键合点的材料为锗，形成所述第二电气键合点的材料为铝。

3.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：形成所述第一电气键合点的材料为金，形成所述第二电气键合点的材料为多晶硅。

4.根据权利要求1或2或3所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S2步骤中提供的第二芯片采用如下工艺实现：

S21：提供一衬底，所述衬底包括第一表面和与第一表面相对设置的第二表面，在所述衬底的第二表面上进行氧化并得到氧化层；

S22：在所述S21步骤中得到的氧化层上作图形成一通孔图形；

S23：按照所述S23步骤中得到通孔图形在所述衬底上形成通孔，形成于所述通孔中间并被所述通孔包围的所述电气连接部；

S24：在所述S23步骤中得到的通孔内先淀积一层氧化硅层，然后用多晶硅将淀积有氧化硅层的通孔填满以形成所述隔离部；

S25：去除S21步骤中形成的氧化层；

S26：在去除氧化层的衬底的第二表面上形成所述第二电气键合点，所述第二电气键合点与S23步骤中形成的电气连接部电气连接。

5.根据权利要求4所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S2步骤中所述提供的第二芯片在S26步骤后还包括如下步骤：

S27：在所述S26步骤后形成的衬底的第二表面上再次进行氧化并得到氧化层，然后在氧化层上作画形成空腔图形；

S28：按照所述S27步骤中得到空腔图形在衬底上形成空腔；

S29：去除所述S27步骤中所形成的氧化层。

6.根据权利要求5所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S23步骤中的通孔采用深槽反应离子刻蚀工艺实现，在所述S28步骤中的空腔采用深槽反应离子刻蚀工艺实现或者采用腐蚀液湿法腐蚀的方式实现。

7.根据权利要求4所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S24步骤还可以采用如下步骤代替：S24’：在所述S23步骤中得到的通孔内淀积氧化硅以形成所述隔离部。

8.根据权利要求3所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S1步骤中所提供的第一芯片还包括位于第一电气键合点外侧的第一封装环，在所述S26步骤中，在形成所述第二电气键合点的同时，还形成有位于第二电气键合点外侧的第二封装环。

9.根据权利要求1所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S5步骤的电气连接层具体采用如下工艺形成：

S51：在所述S4步骤减薄后的衬底的第一表面淀积氧化硅以形成氧化层；

S52：去除部分氧化层以露出电气连接部，然后淀积第一金属层并形成金属走线；

S53：再淀积一层钝化层；

S54：去除部分钝化层使部分金属走线露出，同时在露出的金属走线上淀积第二金属层。

10.根据权利要求9所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S53步骤中所形成的钝化层的材料为氧化硅或者氮化硅。

11.根据权利要求9所述的微机电系统器件的制造方法，其特征在于：所述S54步骤中所形成的第二金属层的材料为铝或者金。