[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层，其特征在于，所述空穴阻挡层的材质为有机硅苯材料以及钙盐掺杂到空穴阻挡材料中形成的混合材料；所述空穴阻挡材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述有机硅苯材料在空穴阻挡材料中的掺杂质量分数为10~50%；所述钙盐在空穴阻挡材料中的掺杂质量分数为5~20%。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机硅苯材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述钙盐为碳酸钙、氯化钙或溴化钙。

4.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将导电阳极基底进行超声清洗；

（2）在经过表面活化处理后的导电阳极基底表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；

（3）在所述电子注入层上真空蒸镀阴极层；

所述空穴阻挡层的材质为有机硅苯材料以及钙盐掺杂到空穴阻挡材料中形成的混合材料；所述空穴阻挡材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述有机硅苯材料在空穴阻挡材料中的掺杂质量分数为10~50%；所述钙盐在空穴阻挡材料中的掺杂质量分数为5~20%。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机硅苯材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。

6.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述钙盐为碳酸钙、氯化钙或溴化钙。

7.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为2~20nm。

8.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡层通过真空蒸镀法沉积在发光层上，空穴阻挡层的蒸镀速率为0.1~1nm/s，压力为5×10^-3~2×10^-4Pa。

9.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

10.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4′′-三（咔唑-9-基）三苯胺或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。