[发明专利]掩膜版及对其进行缺陷检测的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种掩膜版及对其进行缺陷检测的方法。

背景技术

集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程，其中，光刻技术是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要动力，光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。

掩膜版是光刻过程中不可或缺的一部分，掩膜版质量的优劣决定着后续工艺能否较好的实现。故在掩膜版制作完成后必须对其进行检测，以判断其是否满足需要。

目前业内常有的检测方法主要为采用KLA-tencor的STARLight光罩检查系统进行检测，这主要是从准确性和精准度的角度出发而选择的。但是STARLight光罩检查系统也有其本身的缺陷，比如对于一个全新的掩膜版，必须需要相关人员进行手动操作来完成工作建立（setup）、校准（calibration）等一系列过程，这是一个非常费时费力，又不能够保证质量的劳动。操作人员很难保证在此过程中各个点的选择的正确性，一旦出现错误，就会使得一些假的缺陷数目（false count）增多，从而认为掩膜版的性能不达标，尤其对于大于F级的掩膜版，这种现象将更加显著。

因此，如何克服这种现状，尽可能的将人为因素造成的影响降低，将有利于掩膜版的检测水平的提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜版及对其进行缺陷检测的方法，以解决现有技术中对人工操作耗时长、效率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，包括：

图案区和密封框架，所述密封框架包围图案区，在所述密封框架和图案区之间具有多个缺陷判定图案。

可选的，对于所述的掩膜版，所述缺陷判定图案包括线形图案和方形图案。

可选的，对于所述的掩膜版，所述线形图案包括OPC图案、横向和纵向的短线条中的一种或多种。

可选的，对于所述的掩膜版，所述方形图案包括密集方块、稀疏方块、横向线条、纵向线条和斜向线条中的一种或多种。

可选的，对于所述的掩膜版，所述缺陷判定图案为4个。

可选的，对于所述的掩膜版，所述缺陷判定图案均匀分布在所述密封框架和图案区之间。

可选的，对于所述的掩膜版，位于同一对角线上的所述缺陷判定图案具有相同的结构。

可选的，对于所述的掩膜版，位于不同对角线上的所述缺陷判定图案的结构不同。

本发明提高一种利用如上所述的掩膜版进行缺陷检测的方法，包括：

提供检测单元；

将所述掩膜版置于所述检测单元内，若检测到的缺陷与所述缺陷判定图案相同，则判定不是缺陷；若检测到的缺陷与所述缺陷判定图案不相同，则判定是缺陷。

与现有技术相比，在本发明提供的掩膜版及对其进行缺陷检测的方法中，在掩膜版的图案区和密封框架之间设置有多个缺陷判定图案，从而在检测过程中，检测单元能够根据缺陷判定图案来自动选择和衡量所需要的点，这样就不需要技术人员手动操作，进而避免了人工操作可能带来的影响，同时采用本发明提供的掩膜版能够节省时间和人力，从而大大的提高工作效率和生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例的掩膜版的结构示意图；

图2为本发明实施例的线形图案的示意图；

图3为本发明实施例的方形图案的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提供的掩膜版及对其进行缺陷检测的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1，本发明实施例的掩膜版100具有如下结构：基板101，优选为石英基板，在基板101上形成有密封框架102及位于密封框架102内部区域的图案区103，所述密封框架102上形成有保护膜（pellicle），这些皆可采用现有工艺形成。本发明的要点在于，所述掩膜版还具有缺陷判定图案104，所述缺陷判定图案104位于密封框架102和图案区103之间的区域；也可以将缺陷判定图案104设置于所述图案区103内，考虑到对图案区可能的影响，以及图案区的边缘通常为空白，优选为设置于图案区103的边缘。可以理解的是，所述缺陷判定图案104的位置本实施例在此仅是举例，应当以不影响图案区的制造，并且能够受到保护膜保护为宜。