[发明专利]一种高温退火硅片的制备方法有效
| 申请号： | 201210465601.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103820862A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李宗峰;冯泉林;赵而敬;盛方毓;闫志瑞;李青保;王磊 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 退火 硅片 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高温退火硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；
(2)向石英炉管内通入H2，此时退火气氛变为Ar和H2的混合气氛，然后升温到1000℃；
(3)停止通H2，将退火气氛变为纯Ar气氛，并升温到1200℃保温1h；
(4)保温结束后，继续通入纯Ar，降温到650℃后出舟，将硅片冷却至室温后卸载。
2.根据权利要求1所述的高温退火硅片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中Ar和H2的混合气氛中H2和Ar的流量比为4％。
3.根据权利要求1所述的高温退火硅片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中升温速度为3～5℃/min。
4.根据权利要求1所述的高温退火硅片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中硅片的出舟速度为150mm/min。
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