[发明专利]高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法

权利要求书

1.一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）对基片进行亲水处理；

2）选择大小均一的介质纳米球乳胶溶液，利用旋涂法或提拉法在亲水处理后的基片上自组装单层紧密排列的介质纳米球阵列；

3）利用反应离子刻蚀技术对步骤2）所得到的介质纳米球阵列进行刻蚀；

4）在步骤3）所得到的刻蚀后的介质纳米球阵列上，镀上金属膜，镀膜厚度小于步骤3）中的刻蚀厚度，即获得高灵敏的表面增强拉曼传感芯片。

2.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1）中，基片为石英基片或K9玻璃基片。

3.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1）中，亲水处理的步骤为：将基片置于浓硫酸和双氧水以质量比3:1配成的溶液中，80℃热浴1小时，然后取出基片用去离子水反复冲洗，并用超声振荡2~3分钟；再将基片置于氨水、双氧水和去离子水以质量比1:1:5配成的溶液中，超声振荡1小时，然后取出基片用去离子水冲洗2~3次，并用去离子水保存备用。

4.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤2）中，介质纳米球为聚苯乙烯球。

5.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤3）中，反应离子刻蚀使用的刻蚀气体为氧气。

6.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤4）中，金属膜为金膜或银膜，镀膜方式为蒸镀、溅射镀膜或电镀。

7. 根据权利要求1至6任意一项所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤3）中，刻蚀厚度为50nm~220nm；所述步骤4）中，镀膜厚度为40nm~200nm。