[发明专利]多波长发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201210459155.2 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103022287A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐国伟;叶俊逸;丁逸圣;郑惟纲;潘锡明 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 发光二极管 芯片 | ||
1.一种多波长发光二极管芯片，其特征在于，包括：
一第一半导体层；
一发光层，设于所述第一半导体层上；
一第二半导体层，设于所述发光层上；及
一量子点层，设于所述第二半导体层上；
其中，所述量子点层为一半导体光致发光材料，并可发出一光波长。
2.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体光致发光材料为若干个纳米晶体，所述纳米晶体尺寸大于与等于1纳米，且小于或等于15纳米。
3.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体光致发光材料包括选自ⅡB-ⅥA族、ⅢB-ⅤA族以及ⅣB-ⅥA族元素所组成的化合物群组其中之一。
4.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体光致发光材料包括选自硒化镉、硒化锌、硫化铅、磷化铟、硫化镉、氧化镉、硫化铜铟、硫化银铟以及硒化铜铟所组成的群组其中之一。
5.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述光波长为蓝光波长或红光波长。
6.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，还包括一透明导电层，设于所述量子点层上。
7.如权利要求1所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述量子点层覆盖于所述第二半导体层上的至少一部分。
8.一种多波长发光二极管芯片，其特征在于，包括：
一第一半导体层；
一发光层，设于所述第一半导体层下；
一第二半导体层，设于所述发光层下；及
一量子点层，设于所述第二半导体层下；
其中，所述量子点层为一半导体光致发光材料，并可发出一光波长。
9.如权利要求8所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，还包含一金属反射层，设于所述量子点层下。
10.如权利要求9所述的多波长发光二极管芯片，其特征在于，所述量子点层覆盖于所述金属反射层上的至少一部分。
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