[发明专利]半导体发光器件及封装

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，包括：

第一导电类型半导体层，

有源层，以及

第二导电类型半导体层；以及

光提取层，设置在所述发光结构上，所述光提取层包括：

具有透光性的光透射薄膜层；

包括多个纳米棒的纳米棒层，设置在所述光透射薄膜层上，以及

包括多个纳米线的纳米线层，设置在所述纳米棒层上。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层、所述纳米棒层和所述纳米线层具有以顺序的方式逐渐减小的折射率。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层、所述纳米棒层和所述纳米线层分别在其中具有单一的折射率。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层、所述纳米棒层和所述纳米线层由相同的材料制成。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层由具有透光性和导电性的材料制成。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层是透明导电氧化物或透明导电氮化物。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层具有小于所述第二导电类型半导体层的折射率的折射率。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

第一电极，形成为电连接到所述第一导电类型半导体层；以及

第二电极，设置在所述光透射薄膜层上并且电连接到所述第二导电类型半导体层。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射薄膜层设置在所述第二导电类型半导体层上。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

用于半导体生长的衬底，具有一表面，在该表面上顺序地形成所述发光结构的所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述光提取层设置在所述用于半导体生长的衬底的与其上形成所述发光结构的表面相反的表面上。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括：

第一电极，设置在所述第一导电类型半导体层的通过去除所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层的至少部分而暴露的部分上；以及

第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上。

13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述用于半导体生长的衬底的其上形成所述光提取层的表面被提供作为主要的光提取面。

14.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括设置在所述第二导电类型半导体层上的导电衬底。

15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述光提取层设置在所述第一导电类型半导体层上。

16.一种半导体发光器件封装，包括：

发光结构，包括：

第一导电类型半导体层，

有源层，以及

第二导电类型半导体层；以及

光提取层，设置在所述发光结构上，所述光提取层包括：

具有透光性的光透射薄膜层，

包括多个纳米棒的纳米棒层，设置在所述光透射薄膜层上，以及

包括多个纳米线的纳米线层，设置在所述纳米棒层上；以及

第一电极，形成为电连接到所述第一导电类型半导体层；

第二电极，形成为电连接到所述第二导电类型半导体层；

第一端子单元，电连接所述第一电极；以及

第二端子单元，电连接到所述第二电极。

17.根据权利要求16所述的半导体发光器件封装，其中所述第一和第二端子单元引线接合或球接合到所述第一和第二电极。

18.根据权利要求16所述的半导体发光器件封装，其中还包括：

透镜单元，设置在所述发光结构的上方。

19.根据权利要求18所述的半导体发光器件封装，其中所述透镜单元包括树脂。

20.根据权利要求18所述的半导体发光器件封装，其中所述透镜单元包括一种或多种磷光体。