[发明专利]控制底部填充物溢出宽度的方法无效
| 申请号： | 201210458902.0 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594385A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈孟泽;郑荣伟;林俊成;蔡钰芃;郑明达;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/54 | 分类号： | H01L21/54;H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 底部 填充物 溢出 宽度 方法 | ||
1.一种用于控制底部填充物在衬底和管芯之间设置的间隙中流动的方法，所述方法包括：
处理所述衬底的区域以在其中形成表面粗糙度；以及
分配底部填充物以基本上填满所述间隙，其中，所述底部填充物的流动基本上被所述表面粗糙度抑制。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括将所述衬底的所述区域暴露于激光、化学物质、喷介质或等离子体处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述化学物质选自由氢氧化物和氢氟酸所组成的组；所述喷介质的材料选自由玻璃珠、SiO2、Al2O3和碳化硅所组成的组。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述表面粗糙度阻止所述底部填充物在保护区域上流动。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述保护区域包括相邻器件的周边连接接头。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面粗糙度包括多个沟槽。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
确定所述底部填充物的期望溢出宽度；以及
基于所述底部填充物的溢出宽度确定所述衬底的选择部分，其中，所述底部填充物的流动基本上受到对所述处理做出响应的所述衬底的选择部分的限制。
8.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：
提供衬底；
对所述衬底的区域实施表面处理以形成表面粗糙度；
在所述衬底上方接合管芯；以及
在所述管芯和所述衬底之间分配一定量的底部填充材料，其中，所述底部填充材料的流动基本上被所述衬底的所述区域的表面粗糙度抑制。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述表面处理包括喷介质、激光处理、等离子体处理或施加化学物质。
10.一种半导体器件组件，包括：
衬底，具有经过处理形成表面粗糙度的表面区域；
管芯，通过多个连接部件安装在所述衬底上；以及
底部填充物，基本上填满设置在所述衬底和所述管芯之间的间隙，其中，所述底部填充物的溢出宽度基本上受到具有表面粗糙度的区域的限制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
