[发明专利]一种产生法诺共振现象的金属-介质耦合谐振腔无效
申请号: | 201210458329.3 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN102928912A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 陈建军;李智;张茹;肖井华 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 张肖琪 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 产生 共振 现象 金属 介质 耦合 谐振腔 | ||
1.一种金属-介质耦合谐振腔,其特征在于,所述耦合谐振腔包括:金属-介质-金属MIM波导、以及在MIM波导内的分支谐振腔(4)和两个挡板(5);其中,所述MIM波导为三层平板结构,第一层(1)和第三层(3)为金属材料,二者之间为介质层(2);所述分支谐振腔(4)从侧面耦合在金属-介质-金属MIM波导的介质层(2)上;所述两个挡板(5)垂直设置在介质层(2)内,并分别位于所述分支谐振腔(4)的两侧。
2.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述MIM波导的第一层(1)和第三层(3)采用金或银等。
3.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述介质层(2)的厚度h在10纳米至1微米之间。
4.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述分支谐振腔(4)的剖面为矩形,长度d在100nm~1000nm之间;宽度w在10nm~1000nm之间。
5.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述分支谐振腔(4)和介质层(2)为相同的介质。
6.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述两个挡板(5)的材料采用高折射率的介质或金属。
7.如权利要求1所述的耦合谐振腔,其特征在于,所述两个挡板(5)的厚度为1nm~100nm。
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