[发明专利]一种欠压浪涌保护的储能电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种可满足GJB181-1986中欠压浪涌保护的储能电路，可应用于需要满足GJB181-1986中欠压浪涌保护要求的直流供电电路。

背景技术

在GJB181-1986中，对直流机载用电设备的技术要求里包含一项耐欠压浪涌要求，即直流用电设备的28V输入电压下降到8V并持续50ms时，用电设备应不中断工作。

欠压浪涌保护通常的方案会直接在电源输入端放置大容量储能电容，这样做的缺点就是在上电瞬间，电流会瞬间很大，容易损坏储能电容和其他的一些元器件；同时也会造成储能电容不必要的重复充放电，影响储能电容的寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种欠压浪涌保护的储能电路，解决了通常储能电路方案中上电瞬间电流过大、储能电容重复充放电的问题。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二极管的负极与MOS管的源极连接。该MOS管的漏极与二极管的正极连接，二极管负极与输入电源的正输入端连接。储能电容与一放电电阻并联。

本发明的优点在于：瞬间上电时的充电电流不至于过大，避免了大电流对储能电容和其他电子元器件的损害，当电源电压发生抖动时，储能电容不会发生重复的充放电现象，减小了对储能电容寿命的影响。

附图说明

附图1为本发明实施例功能图。

附图2为本发明实施例电路框图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作详细说明。

附图1为本发明实施例功能框图，当28V直流电源正常供电时，用电设备正常工作，储能电路1中的储能电容充满电能；当28V直流电源瞬间掉电时，该储能电路1中的储能电容开始向后端用电设备2释放电能，用电设备的28V输入电压下降到8V并持续50ms时，用电设备应不中断工作。

附图2为本发明的具体电路框图。该电路图包括储能电容C，用于储存外部电源提供的电能，当外部电源突然掉电时，该储能电容开始放电，提供给后端的用电设备；MOS管Q，通过该MOS管的寄生二极管对储能电容进行充电，通过该MOS管的开通关断对储能电容的放电过程进行控制，只有MOS管的栅-源极之间的电压小于开启电压时，MOS管的通道才导通；稳压二极管Z，当稳压二极管被击穿时，MOS管Q的驱动电压稳定在稳压二极管的钳位电压；充电电阻R2，作为储能电容C充电时的缓冲电阻；放电电阻R1，当产品处于不工作的状态时，可以通过放电电阻R1消耗掉残留在储能电容C中的电能；驱动电阻R3，驱动电阻的大小决定了MOS管开通的时间；普通二极管D1，当储能电容C放电给后端用电设备工作时，此普通二极管D1可以阻止电流从充电电阻R2通过。

如图2所示，该驱动电阻，影响MOS管的开通时间，该MOS管的开通时间一定要小于28V输入电压降到用电设备最小工作电压值所用时间；该充电电阻的大小影响储能电容充电时间长短和冲击电流的大小。当储能电路开始储存电能时，充电电流经过该充电电阻和该MOS管的寄生二极管给储能电容充电；当储能电容开始给后端用电设备提供电能时，在28V电源输入电压降到用电设备最小工作电压值之前，MOS管一定要开通，此时稳压二极管会被击穿，MOS管的驱动电压被稳定在稳压二极管的钳位电压，储能电容所储存的电能通过MOS管的导通通道和普通二极管提供给后端用电设备。