[发明专利]发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具

说明书

本申请是根据母案（申请号：2011101981970，发明名称：发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具）提出的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种发光元件的封装方法及其治具，且特别是有关于一种发光二极管晶粒模块的封装方法及其移取治具（fixture）。

背景技术

现今发光二极管晶粒的封装方法，大致与一般晶粒封装相似。图1即绘示一现有的发光二极管晶粒模块的剖视图。

请参照图1，在进行发光二极管晶粒100的封装时，首先点覆银胶11(glue)于预制的封装座12中。接着，将贴附在蓝胶(blue tape)上并裁切成多个发光二极管晶粒100的晶圆，逐粒以真空吸附方式将每一发光二极管晶粒100自蓝胶上取下后，并趁银胶11未干固前依序置入点覆有银胶11的封装座12中，以利用银胶11沾附住发光二极管晶粒100。之后，再进行烘烤令银胶11固化，使发光二极管晶粒100借银胶11固着于封装座12上，制得如图1所示的发光二极管晶粒模块1。然后，再进行例如打线、填注光学胶、切割等过程，而制得发光二极管光源模块(未绘示)。

上述工艺本身并无太大的缺陷而适用于业界量产发光二极管晶粒模块1。然而，对所制作出的发光二极管晶粒模块1而言，因为预先产得的封装座12本身存在机械加工之限制，以致无法随发光二极管晶粒100的大小而缩减体积，产生封装座12与晶粒100不匹配之情形，所以存在有体积仍嫌过大的问题。

有鉴于此，专利档第096141685号即提出一种新的发光二极管封装技术，以解决上述问题。从而可将封装制得的发光二极管晶粒模块体积有效缩减，并同时改善发光亮度的问题。

然而，该技术于实际导入量产时，光刻胶是作为牺牲层的较佳选择之一，但因光刻胶涂布后会逐渐干固，所以在逐粒将多个发光二极管晶粒嵌置入涂布的光刻胶(即牺牲层)的过程中，会发生无法及时在光刻胶干固前将所有的发光二极管晶粒逐粒嵌置于涂布的光刻胶中的问题，进而造成实际上量产的困难。

发明内容

本发明提供一种发光二极管晶粒模块，包括至少一发光二极管晶粒，其具有一基板与多个磊晶层；一光杯座，其具有一底部与一上缘，光杯座通过底部承载至少一发光二极管晶粒；光杯座的上缘包含至少一封闭沟槽或至少一封闭凸缘(flange)环绕至少一发光二极管晶粒；至少一绝缘层，位于封闭沟槽或封闭凸缘上；二导电层，位于绝缘层上；二导线，分别连接于对应的导电层与至少一发光二极管之间；以及一封胶结构，包覆至少一发光二极管晶粒，其中封闭沟槽或封闭凸缘限制封胶结构之成形范围，并且二导线分别经由对应的导电层向封胶外部延伸。

其中，该光杯座具有一反射镜与一基底，该光杯座通过该反射镜承载该至少一发光二极管晶粒的基板。

其中，该发光二极管晶粒的该基板具有至少一个凹状结构，以使得该反射镜与该基底进入该凹状结构中成长。

本发明封装制得的发光二极管晶粒模块的体积可有效缩减，并同时改善发光亮度的问题。

附图说明

图1为现有的发光二极管晶粒模块的剖视图。

图2为本发明一实施例的量产发光二极管晶粒模块的封装方法的流程图。

图3为图2的量产发光二极管晶粒模块的封装方法所产制的发光二极管晶粒模块的上视示意图。

图4为沿着图3中V-V剖面的示意图。

图5为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的涂布光刻胶步骤。

图6为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的排置晶粒步骤。

图7为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的治具吸取晶粒步骤。

图8为实施治具吸取晶粒步骤时的治具结构。

图9为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的同步压置晶粒步骤。

图10为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的定义成型步骤。

图11为本发明另一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的定义成型步骤。

图12为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的封闭沟槽形成步骤。

图13为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的封闭凸缘形成步骤。

图14为本发明一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的封胶步骤。

图15为本发明另一实施例量产发光二极管晶粒模块的封装方法的封胶步骤。

图16为本发明一实施例，使用具有至少一个凹状结构的基板。

其中，附图标记：