[发明专利]铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜、制备方法及其应用无效
| 申请号: | 201210457040.X | 申请日: | 2012-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN103805183A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/67 | 分类号: | C09K11/67;H01L33/50 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铕铒双 掺杂 氧化锆 发光 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜,其特征在于,其化学式为ZrO2:xEu3+,yEr3+,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.06,ZrO2是基质,铕元素和铒元素是激活元素。
2.根据权利要求1所述的铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜,其特征在于,所述铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的厚度为50nm~300nm。
3.一种铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
根据ZrO2:xEu3+,yEr3+各元素的化学计量比将ZrO2,Eu2O3和Er2O3粉体,经过混合后,在900℃~1300℃下烧结得到靶材;
将衬底装入脉冲激光沉积设备的反应室中,并将反应室的真空度设置为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa;
调节基靶间距为45mm~95mm,衬底的温度为250℃~750℃,工作气体的流量为10sccm~40sccm,工作压强为0.5Pa~5Pa,脉冲激光能量为80W~300W,进行脉冲激光沉积得到化学式为ZrO2:xEu3+,yEr3+的铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.06,ZrO2是基质,铕元素和铒元素是激活元素。
4.根据权利要求3所述的铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的制备方法,其特征在于,所述基靶间距为60mm,衬底的温度为500℃,工作气体的流量为20sccm,工作压强为3Pa,脉冲激光能量为150W。
5.根据权利要求3所述的铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的制备方法,其特征在于,所述铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的厚度为50nm~300nm。
6.一种薄膜电致发光器件,该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层,其特征在于,所述发光层的材料为铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜,该铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的化学式为ZrO2:xEu3+,yEr3+,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.06,ZrO2是基质,铕元素和铒元素是激活元素。
7.根据权利要求6所述的薄膜电致发光器件,其特征在于,所述发光层的厚度为50nm~300nm。
8.一种薄膜电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供具有阳极的衬底;
在所述阳极上形成发光层,所述发光层的薄膜为铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜,该铕铒双掺杂二氧化锆发光薄膜的化学式为ZrO2:xEu3+,yEr3+,其中,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.06,ZrO2是基质,铕元素和铒元素是激活元素;
在所述发光层上形成阴极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司,未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210457040.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗紫外PVC管材料
- 下一篇:高速铁路路基上拱修复加固结构





