[发明专利]一种背面抛光硅片的制备方法

权利要求书

1.一种背面抛光硅片的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

(1)将已扩散的硅片用氢氟酸、硝酸的混合液清洗表面磷硅玻璃，清洗时间控制在3-5min；

(2)把步骤(1)清洗完的硅片送入湿法刻蚀机，刻蚀时间2-6min，刻蚀液为强酸性溶液；

(3)将步骤(2)得到的硅片用氢氧化钠溶液浸泡，去除反应生成的多孔硅，氢氧化钠溶液质量浓度为4%-6%，浸泡时间为20-40s；

(4)将步骤(3)得到的硅片用氢氟酸溶液浸泡清洗，中和表面碱液，氢氟酸溶液的质量浓度为7%-9%，浸泡时间为20-40s；

(5)将步骤(4)得到的硅片用纯水冲洗，冲洗时间为30-40s；

(6)用风刀吹干步骤(5)得到的硅片，热风温度为30-50℃。

2.根据权利要求1所述的背面抛光硅片的制备方法，其特征在于步骤(1)中氢氟酸和硝酸的质量浓度分别为49%、68%，氢氟酸、硝酸的体积比为3：14，清洗磷硅玻璃4min。

3.根据权利要求1或2所述的背面抛光硅片的制备方法，其特征在于步骤(2)中强酸性溶液为氢氟酸、硝酸、硫酸的混合液，所述氢氟酸、硝酸、硫酸的混合液的质量浓度分别为49%、68%、98%，且它们的体积比为1:10:7。

4.根据权利要求1或2所述的背面抛光硅片的制备方法，其特征在于步骤(2)中湿法刻蚀机速度在0.8-1.2m/min。

5.根据权利要求1所述的背面抛光硅片的制备方法，其特征在于步骤(3)中氢氧化钠溶液质量浓度为5%，浸泡30s。

6.根据权利要求1所述的背面抛光硅片的制备方法，其特征在于步骤(4)中氢氟酸溶液质量浓度为8%，浸泡30s。