[发明专利]一种微合金工艺无效
| 申请号: | 201210456755.3 | 申请日: | 2012-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN103811594A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
| 发明(设计)人: | 毛华军 | 申请(专利权)人: | 毛华军 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C23C10/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 264006 山东省烟*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 合金 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种微合金工艺,属于光电子领域。
背景技术
微合金技术是LED生产过程中必不可少的工艺步骤,微合金工艺的优劣直接决定了LED芯片电极的可靠性及牢固性,而目前由于微合金工艺存在的一些缺陷,导致微合金后批量出现掉电极等现象,造成生产成本的浪费。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种微合金工艺。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种微合金工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1) 打开合金炉,将合金炉的气压调整到45-55psi,将合金炉的温度升至300℃,稳定10分钟;
(2) 将芯片放至载片台上,将载片台载入合金炉内;
(3) 微合金过程如下:预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min;
(4)合金完后,退出合金炉,将芯片取出。
本发明的有益效果是:本工艺通过对微合金的工艺进行改进,增加了微合金的稳定性,减少掉电极的现象,从而提高了产品的良率。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
一种微合金工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1) 打开合金炉,将合金炉的气压调整到45-55psi,将合金炉的温度升至300℃,稳定10分钟;
(2) 将芯片放至载片台上,将载片台载入合金炉内;
(3) 微合金过程如下:预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min;
(4)合金完后,退出合金炉,将芯片取出。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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