[发明专利]一种复合式纳米发电机及其制备方法有效
申请号: | 201210455410.6 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN103354240A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 王中林;林龙;李尙玟;裵晟桓 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L27/20;H01L35/34;H01L41/22 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;南毅宁 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 纳米 发电机 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种能量转化器件领域,特别涉及一种可以同时将机械能和热能转化为电能的复合式纳米发电机。
背景技术
我们的生活中和环境中蕴藏着丰富的清洁二次能源,诸如太阳能、风能、热能等等。对这些二次能源的回收利用可以有效的解决能源危机和温室效应引发的一系列问题,对于人类社会的可持续发展具有重要意义。
近年来,人们研发出基于氧化锌纳米线的压电效应的纳米发电机,可以用于收集环境中各种来源的机械能,并将其转化为电能,可以用于驱动小型电子设备。另一方面,纳米发电机的一个新的发展趋势是复合式纳米发电机,可以集成各种能量收集的器件,比如压电纳米发电机、太阳能电池、生物燃料电池等等,在纳米发电机领域,人们已经研发了以上几种发电器件之间的集成器件,可以同时收集机械能、光能和生物能源。而在实际生活环境中,机械能的产生往往同时也伴随着由于震动和摩擦而耗散的热能,但是,到目前为止,还没有能够将机械能和热能转化为电能的纳米发电机的相关报道和研究。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合式纳米发电机,可以同时收集环境中的机械能和热能,形成一种新型高效的能量转化集成器件。
为了实现上述目的,本发明提供一种复合式纳米发电机,包括:电纳米发电机和热电发电机,其中,
所述压电纳米发电机,是基于压电效应的压电纳米发电机,用于将机械能转化为电能;
所述热电发电机,是基于温差电动势效应的热电发电机,用于将热能转化为电能;
所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的上方或下方,与所述压电纳米发电机之间形成上下堆叠结构。
优选地,所述压电纳米发电机包括:
底电极;
所述底电极上的压电纳米结构层;
所述压电纳米结构层上的绝缘层;
所述绝缘层上的顶电极。
优选地,所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的下方,包括:
所述压电纳米发电机的底电极下的上导热元件;
所述上导热元件下的上绝缘层;
所述上绝缘层下的热电层,所述热电层包括交替排列的n型热电元件和p型热电元件,相邻所述n型热电元件与p型热电元件的顶端或底端电连接,其中,每个n型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻p型热电元件电连接,每个p型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻的n型热电元件电连接;
所述热电层下的下绝缘层;
所述下绝缘层下的下导热元件。
优选地,所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的下方,包括:
所述压电纳米发电机的底电极下的上绝缘层,其中,所述底电极为所述热电发电机的上导热元件;
所述上绝缘层下的热电层,所述热电层包括交替排列的n型热电元件和p型热电元件,相邻所述n型热电元件与p型热电元件的顶端或底端电连接,其中,每个n型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻p型热电元件电连接,每个p型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻的n型热电元件电连接;
所述热电层下的下绝缘层;
所述下绝缘层下的下导热元件。
优选地,所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的上方,包括:
所述压电纳米发电机的顶电极上的下导热元件;
所述下导热元件上的下绝缘层;
所述下绝缘层上的热电层,所述热电层包括交替排列的n型热电元件和p型热电元件,相邻所述n型热电元件与p型热电元件的顶端或底端电连接,其中,每个n型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻p型热电元件电连接,每个p型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻的n型热电元件电连接;
所述热电层上的上绝缘层;
所述上绝缘层上的上导热元件。
优选地,所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的上方,包括:
所述压电纳米发电机的顶电极上的下绝缘层,其中,所述顶电极为所述热电发电机的下导热元件;
所述下绝缘层上的热电层,所述热电层包括交替排列的n型热电元件和p型热电元件,相邻所述n型热电元件与p型热电元件的顶端或底端电连接,其中,每个n型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻p型热电元件电连接,每个p型热电元件的顶端或底端仅与一个相邻的n型热电元件电连接;
所述热电层上的上绝缘层;
所述上绝缘层上的上导热元件。
优选地,所述上导热元件和/或下导热元件为金属导热元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心,未经国家纳米科学中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210455410.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铸造废砂干燥、冷却的方法及设备
- 下一篇:涤长丝棉弹交织仿麻布
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的