[发明专利]低金属光泽可视性的触控面板的制作方法以及其产品有效

专利信息
申请号: 201210454944.7 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN103135837A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 徐钒;赖纪光 申请(专利权)人: 达鸿先进科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 须一平
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 金属 光泽 可视性 面板 制作方法 及其 产品
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种触控面板的制作方法以及其产品,特别是涉及一种低金属光泽可视性的触控面板的制作方法以及其产品。

背景技术

参阅图1,触控面板1连结于用于显示影像的显示面板(图未示出)上,包含一片光可透射的玻璃基板11、一层形成在该玻璃基板11上的透明导电线路12、一层形成在该玻璃基板11上而覆盖该玻璃基板11未形成有该透明导电线路12的区域以及该透明导电线路12预定区域的绝缘层体13、一层用金属及/或合金构成而电连接该透明导电线路12未被该绝缘层体13覆盖的区域的桥接线路14,以及一层形成在该透明导电线路12、绝缘层体13和桥接线路14上用于隔绝并保护所述的结构的透明保护层体15,令使用人可以在看到显示面板所显现的影像的同时,通过例如手指或触控笔等施加压力于该触控面板1而传输电信号,进而完成例如资料传输、程序使用等事项。

上述该触控面板1的制作过程,是先在该玻璃基板11上用例如铟锡氧化物(ITO)等光可透射且阻抗低的透明导电材料,形成具有预定线路图案的透明导电线路12后,再用例如光阻等光可透射的绝缘材料在该玻璃基板11上对应于该透明导电线路12,形成覆盖该玻璃基板11未形成有该透明导电线路12的区域以及该透明导电线路12预定区域的绝缘层体13,接着,用例如铝、铜等阻值低而利于电传导的金属及/或合金镀膜,形成与该透明导电线路12电连接的桥接线路14,最后,在形成的该透明导电线路12、绝缘层体13和桥接线路14镀覆上用于隔绝外界且硬度高的透明保护层体15后,即完成该触控面板1的制作。

因为该桥接线路14用于电连接该透明导电线路12,不但需要低阻抗且需同时配合该透明导电线路12,如此在操作该触控面板1时才能正确传输预定的电信号,进而完成例如资料传输、程序使用等事项,也因此,需使用例如铝、铜等阻值低而利于电传导的金属及/或合金材料,同时在镀膜形成该桥接线路14时,需要在通入氩气的真空环境中进行溅射,避免混入杂质而导致所形成的桥接线路14阻值增加,影响该触控面板1的电性表现。

但是,上述的触控面板1也因为该桥接线路14是需要用例如铝、铜等阻值低而利于电传导的金属及/或合金作为材料,并在通入氩气的真空环境中进行溅射,所以具备构成的金属材料或合金材料的金属光泽,因此,在使用时会出现高金属光泽可视性而影响使用人观看影像的问题。对此,目前的改善方案是重新设计该透明导电线路12和该桥接线路14的线路布局(layout),借由改变线宽、线路间距、甚或是方式而令使用人在使用时不易察觉该桥接线路14的金属光泽,或是再增设一层遮光层,但这些方案不但会增加工序成本,也具有过多先天物理光学上的限制而不易实现,所以关于该触控面板1桥接线路14的高金属光泽可视性高而影响使用人观看影像的问题,仍需要加以研究改善。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不影响使用人观看影像的低金属光泽可视性的触控面板的制作方法。

此外,本发明的另一目的在于提供一种不影响使用人观看影像的低金属光泽可视性的触控面板。

本发明一种低金属光泽可视性的触控面板的制作方法,包含:一道透明导电线路形成工序、一道绝缘工序,以及一道桥接线路形成工序。

该透明导电线路形成工序是在一片光可透射的基板上用光可透射且阻抗低的导电材料,形成一层具有预定线路图案的透明导电线路。

该绝缘工序是用光可透射的绝缘材料在该基板上对应于该透明导电线路,形成一层覆盖该基板未形成有该透明导电线路的区域以及该透明导电线路预定区域的绝缘层体。

该桥接线路形成工序是选择性地用金属和合金材料,自该绝缘层体依序镀膜形成多层连接该透明导电线路未被该绝缘层体覆盖的区域的导电层体,而使所述的导电层体构成一层与该透明导电线路电连接的桥接线路,且所述的导电层体其中至少一层在镀膜时同时通入一种作用气体,使得所形成的该导电层体的反射率小于采用的金属和合金的原始反射率。

本发明低金属光泽可视性的触控面板的制作方法的目的以及解决其技术问题,还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳地,该桥接线路形成工序是依序选用钼铌合金、铝、钼铌合金作材料溅射形成三层导电层体而构成该桥接线路,且用钼铌合金作材料溅射形成其中一层导电层体时,是同时通入氧气和氩气作为该作用气体,而使得形成的该导电层体的反射率小于该钼铌合金的原始反射率。

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