[发明专利]一种射频前端装置无效
| 申请号: | 201210453817.5 | 申请日: | 2012-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN102938657A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
| 发明(设计)人: | 杨清华;刘海玲 | 申请(专利权)人: | 贵州中科汉天下电子有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 556000 贵州省黔东南苗族侗族自治州*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 射频 前端 装置 | ||
技术领域
本发明涉及通信设备技术领域,特别涉及一种射频前端装置。
背景技术
射频前端是指靠近天线的部分,包括发射通路和接收通路。
下面结合附图详细介绍现有技术中的射频前端的构成。
参见图1,该图为现有技术中的一种射频前端装置示意图。
如图1所示,现有技术中的射频前端装置包括:射频功率放大器100、放大器控制器200、匹配网络300以及射频开关400组成。
需要说明的是,其中的射频功率放大器100包括低频放大器101和高频放大器102;匹配网络包括第一低频匹配网络301、第二低频匹配网络302、第一高频匹配网络303和第二高频匹配网络304;射频开关400为单刀多掷开关,包括一个静触点SW,四个动触点分别为SW1、SW2、SW3和SW4。
该射频前端通过射频开关400中四个动触点分别与静触点的接触来选择信号的接收和发射。
下面以信号的低频发射为例介绍其工作原理;
低频信号由低频输入端INL依次通过低频放大器101、低频匹配网络一301、低频匹配网络二302到达射频开关400,此时射频开关400中的动触点SW2与静触点SW接触,这样低频信号便通过天线ANT发射出去。
由于射频开关400为单刀多掷开关,只有SW与SW2接触导通,因此,其他发射和接收通路均处于断开状态,不会对低频信号产生影响。
高频信号的发射与低频信号的发射类似,高频信号由高频输入端ING进入。在此不再具体举例说明。
射频信号的接收也类似,天线ANT接收的射频信号通过射频开关400接通到低频接收端RXL接收低频信号或者到高频接收端RXG接收高频信号。
通过以上对射频信号的发射情况的介绍,可以得知,射频信号被放大后通过射频开关400到达天线ANT,从而将射频信号发射出去。因此,射频开关400需要通过较大功率的信号,承受的电压也较高,这样便需要能够承受功率较高和高电压摆幅的射频开关400,否则将会导致射频开关400被损坏。
综上所述,现有技术中的这种射频前端对射频开关400的类型要求较高,因此将造成整个射频前端的成本较高。发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种射频前端装置,射频信号发射时不需要经过开关,因此,可以避免射频信号发射时被放大后经过开关到达天线,开关不需要承受较大的功率和较高的电压摆幅。
本发明提供一种射频前端装置,包括:低频放大器、高频放大器、放大器控制器、第一低频匹配网络、第二低频匹配网络、第一高频匹配网络、第二高频匹配网络、双工器、与低频信号协同工作的第一开关组、与高频信号协同工作的第二开关组;
所述低频放大器的输入端连接低频信号输入端,低频放大器的输出端连接第一低频匹配网络的输入端,第一低频匹配网络的输出端连接所述双工器的低频端口;所述双工器的天线端口连接天线;
所述高频放大器的输入端连接高频信号输入端,高频放大器的输出端连接第一高频匹配网络的输入端,第一高频匹配网络的输出端连接所述双工器的高频端口;
所述双工器的低频端口连接所述第二低频匹配网络的一端,第二低频匹配网络的另一端连接低频接收端口,所述低频接收端口通过第一开关组接地;
所述双工器的高频端口连接所述第二高频匹配网络的一端,第二高频匹配网络的另一端连接高频接收端口,所述高频接收端口通过第二开关组接地;
通过控制第一开关组中的开关的导通或关断,以使低频信号接收和发射时第一低频匹配网络和第二低频匹配网络互不影响低频信号的性能;
通过控制第二开关组中的开关的导通或关断,以使高频信号接收和发射时第一高频匹配网络和第二高频匹配网络互不影响高频信号的性能。
优选地,所述第一开关组和第二开关组均位于所述放大器控制器中。
优选地,所述第一开关组位于所述低频放大器中;所述第二开关组位于所述高频放大器中。
优选地,所述第一开关组、第二开关组、放大器控制器、低频放大器和高频放大器均集成在同一个芯片上。
优选地,所述第一开关组包括第一开关;所述第二开关组包括第二开关;
所述第一低频匹配网络包括第一电感、第二电感、第一电容和第二电容;所述第一电感、第二电感、第一电容和第二电容连接为低通网络;
所述第一高频匹配网络包括第五电感、第六电感、第四电容和第五电容;所述第五电感、第六电感、第四电容和第五电容连接为低通网络;
所述第二低频匹配网络包括第八电容;
所述第二高频匹配网络包括第九电容;
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