[发明专利]一种间断脉冲电镀Ni-W-纳米CeF3复合镀层的方法无效
申请号: | 201210453519.6 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103806055A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 刘茂见 | 申请(专利权)人: | 无锡三洲冷轧硅钢有限公司 |
主分类号: | C25D5/18 | 分类号: | C25D5/18;C25D15/00;C25D3/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 武春华 |
地址: | 214100 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 间断 脉冲 电镀 ni 纳米 cef sub 复合 镀层 方法 | ||
1.一种间断脉冲电镀Ni-W-纳米CeF3复合镀层的电镀方法,包括:
间断脉冲电镀参数为:工作时间2-4ms,停止时间1-2ms,脉冲频率800-1200Hz,占空比0.1-0.3,平均电流密度0.5-2A/dm2。
2.一种间断脉冲电镀Ni-W-纳米CeF3复合镀层的电镀方法,其特征在于,包括如下步骤:
先对纳米CeF3颗粒进行分散处理,并配成在55~80℃稳定的悬浊电镀液,然后对玻璃模具表面进行预处理,再将玻璃模具浸入悬浊电镀液中,在搅拌下进行间断脉冲电镀,所述悬浊电镀液包含作为主盐的钨酸盐和Ni的氨基磺酸盐、作为络合剂的柠檬酸铵、以及纳米CeF3微粒;所述的间断脉冲电镀参数为:工作时间2-4ms,停止时间1-2ms,脉冲频率800-1200Hz,占空比0.1-0.3,平均电流密度0.5-2A/dm2。
3.根据权利要求2所述的电镀方法,其特征在于,所述纳米CeF3颗粒分散处理包括:先将纳米CeF3颗粒放入丙酮中,超声分散15~20分钟,再烘干,然后加入去离子水,再加入共沉积促进剂0.1~1.0g/L、助分散剂0.3~0.6g/L,超声分散1~2小时,得纳米CeF3颗粒分散液。
4.根据权利要求2所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液的配制过程包括:先将含Ni-W的镀液加热到电镀温度55~80℃,并加入助分散剂0.5~1.0g/L,搅拌加热15~20分钟。再将分散处理后的纳米CeF3颗粒分散液逐滴加入到所述镀液中,同时对所述镀液进行超声搅拌,即配成在55~80℃稳定分散的悬浊电镀液。
5.根据权利要求4所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液的组分和含量为:Na2WO4·2H2O 30~40g/L,Ni(NH2SO3)220~35g/L,(NH4)3C6H5O7·H2O53~80g/L,共沉积促进剂0.1~1.0g/L,助分散剂0.8~1.6g/L,纳米CeF3微粒5~50g/L。
6.根据权利要求5所述的电镀方法,其特征在于,所述共沉积促进剂为乙二胺、十六烷基三甲基溴化铵、多乙烯多胺中的一种或几种的任意组合;所述助分散剂为辛基苯基聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚或壬基酚聚氧乙烯醚中的任何一种。
7.根据权利要求2所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液pH值为6~8,所述纳米CeF3微粒的粒度为25~40nm,电镀时搅拌速度为150~250rpm,温度55~80℃,电流密度为1~8A/dm2。
8.根据权利要求4所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液pH值为6~8,所述纳米CeF3微粒的粒度为25~40nm,电镀时搅拌速度为150~250rpm,温度55~80℃,电流密度为1~8A/dm2。
9.根据权利要求5所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液pH值为6~8,所述纳米CeF3微粒的粒度为25~40nm,电镀时搅拌速度为150~250rpm,温度55~80℃,电流密度为1~8A/dm2。
10.根据权利要求6所述的电镀方法,其特征在于,所述悬浊电镀液pH值为6~8,所述纳米CeF3微粒的粒度为25~40nm,电镀时搅拌速度为150~250rpm,温度55~80℃。
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