[发明专利]一种带Class-AB输出的音频DAC电路有效
| 申请号: | 201210452643.0 | 申请日: | 2012-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN103107813A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
| 发明(设计)人: | 石大勇 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 class ab 输出 音频 dac 电路 | ||
1. 一种带Class-AB输出的音频DAC电路,其特征在于:包括一个插值滤波器(1),一个Delta-Sigma调制器(2),一个具有有限冲击相应(FIR)和无限冲击相应(IIR)滤波功能的1位数模转换器(3)和一个带Class-AB输出的模拟重构滤波器(4);所述的音频DAC将输入的16bit低频数字音频信号经过插值滤波(1),Delta-Sigma调制器(2)后转换为1bit高频数字音频信号,再经过1位数模转换(3)和高阶低通模拟重构滤波器(4)转换成模拟音频信号输出。
2.根据权利要求1所述的一种带Class-AB输出的音频DAC电路,其所述的插值滤波器(1)的传输函数为: ,其中N为插值倍数,插值滤波器(1)采用的是两阶级联的CIC(串行积分梳妆滤波器)结构。
3.根据权利要求1所述的一种带Class-AB输出的音频DAC电路,其所述的Delta-Sigma调制器(2)采用的是三阶单环1位量化多级反馈结构,其噪音传输函数NTF为:,信号传输函数STF为:。
4.根据权利要求1所述的一种带Class-AB输出的音频DAC电路,其所述的带Class-AB输出的模拟重构滤波器(4)包括第一电阻器(41),第二电阻器(42),第三电阻器(43),第四电阻器(44),第五电阻器(45),第六电阻器(46),第一电容器(47),第二电容器(48),第三电容器(49),第一放大器(50),第二放大器(51),第三放大器(52),N型MOS晶体管(54)和P型MOS晶体管(53);第一电阻器(41)的一端与输入信号Vin相连,另一端与第二电阻器(42),第三电阻器(43)和第三电容器(49)的一端相连;第二电阻器(42)的一端与第三电阻器(43),第一电阻器(41)和第三电容器(49)的一端相连,另一端与第一电容器(47)和第一放大器(50)的负输入端相连;第三电阻器(43)的一端与第一电阻器(41),第二电阻器(42)和第三电容器(49)的一端相连,另一端与输出端口Aout相连;第四电阻器(44)的一端与输入信号Vip相连,另一端与第五电阻器(45),第六电阻器(46)和第三电容器(49)的一端相连;第五电阻器(45)的一端与第四电阻器(44),第六电阻器(46)和第三电容器(49)的一端相连,另一端与第二电容器(48)和第一放大器(50)的正输入端相连;第六电阻器(46)的一端与第四电阻器(44),第五电阻器(45)和第三电容器(49)的一端相连,另一端与输入参考电压Vcm相连;第一电容器(47)的一端与第二电阻器(42)的一端和第一放大器(50)的负输入端相连,另一端与输出端口Aout相连;第二电容器(48)的一端与第五电阻器(45)的一端和第一放大器(50)的正输入端相连,另一端与输入参考电压Vcm相连;第三电容器(49)的一端与第一电阻器(41),第二电阻器(42)和第三电阻器(43)的一端相连,另一端与第四电阻器(44),第五放大器(45)和第六电阻器(46)的一端相连;第一放大器(50)的负输入端与第二电阻器(42)和第一电容器(47)的一端相连,正输入端与第五电阻器(45)和第二电容器(48)的一端相连,输出与第二放大器(51)和第三放大器(52)的负输入端相连;第二放大器(51)的负输入端与第一放大器(50)的输出端和第三放大器(52)的负输入端相连,正输入端与第三放大器(52)的正输入端和输出端口Aout相连,输出与P型MOS晶体管(53)的栅极相连;第三放大器(52)的负输入端与第一放大器(50)的输出端和第二放大器(51)的负输入端相连,正输入端与第二放大器(51)的正输入端和输出端口Aout相连,输出与N型MOS晶体管(54)的栅极相连;其中所述的第一放大器(50),第二放大器(51),第三放大器(52)为差分输入单端输出运算放大器,所述的N型MOS晶体管(54)的栅极与第三放大器(52)的输出相连,源极与参考地GND相连,漏极与P型MOS晶体管(53)的漏极,第二放大器(51)和第三放大器(52)的正输入端以及输出端口Aout相连,衬底与参考地GND相连,所述的P型MOS晶体管(53)的栅极与第二放大器(51)的输出相连,源极与参考电源VDD相连,漏极与N型MOS晶体管(54)的漏极,第二放大器(51)和第三放大器(52)的正输入端以及输出端口Aout相连,衬底与参考电源VDD相连,所述的第一电阻器(41)与第四电阻器(44)的阻值相等,第二电阻器(42)与第五电阻器(45)的阻值相等,第三电阻器(43)与第六电阻器(46)的阻值相等,第一电容器(47)与第二电容器(48)的容值相等。
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