[发明专利]半导体试验装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有多台试验机的综合型的半导体试验装置。

背景技术

以IGBT（绝缘栅双极晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor）、功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等为代表的功率半导体产品的出厂试验和制造工序内的各种试验大致分为DC特性试验和AC特性试验。这些试验中，通常分别使用的试验电路不同，所以使用独立的半导体试验装置。

功率半导体产品的DC特性试验中，有半导体元件的漏电流测定试验、耐压测定试验、导通电压测定试验和热阻测定试验等静态特性试验。

这些DC特性试验，通常使用DC试验机在出厂时和工序内进行。

另一方面，功率半导体产品的AC特性试验中，有L负载试验、短路试验等动态特性试验。

此外，除上述DC特性试验和AC特性试验之外，还有保证绝缘强度的绝缘试验。

该AC特性试验中，使用AC试验机进行试验。此外，也有使用绝缘试验机的绝缘强度的试验。

这样，一般在功率半导体产品出厂时，通常使用DC试验机、AC试验机和绝缘试验机等进行特性试验。

图12是具有AC试验机和DC试验机的现有的综合型的半导体试验装置的结构图。

该半导体试验装置500包括：固定在基体机箱的下部缸23；固定在基体机箱的上部缸25、27；和保持DUT（Device Under Test：供试器件，此处为半导体模块等）且与下部缸的可动部联动的下部可动结构部22。还包括：搭载AC试验电路且与上部缸25的可动部联动的上部可动结构部24；搭载DC试验电路且与上部缸27的可动部联动的上部可动结构部26；和固定于基体机箱且位于下部可动结构部22与上部可动结构部24、25之间的固定治具20。

该半导体试验装置中，AC试验机16和DC试验机17被连接在外部。在用AC试验机16实施试验的情况下，通过使下部缸23上升而将下部可动结构部22的电极1P～1W按在固定治具20的弹簧电极20P～20W上。

此外，通过使上部缸25下降而将上部可动结构部24的弹簧电极10P～10W按在固定治具20的电极上。由此，DUT1与AC试验机16配线连接，能够实施AC试验。

此外，在用DC试验机实施试验的情况下，通过使下部缸23上升而将下部可动结构部22的电极1P～1W按在固定治具20的弹簧电极20P～20W上。此外，通过使上部缸27下降，而将上部可动结构部26的弹簧电极按在固定治具20的电极上。由此，DUT1与DC试验机17配线连接，能够实施DC试验。图中的符号29是连接来自AC试验机16的配线H1的平行平板，连接开关电路2或接触部10P～10W。此外，符号G1是连接上部可动结构部26与DC试验机17的配线。

此外，专利文献1中记载了：电源部对通过负载部连接了DUT（被试器件）的DUT连接部供给电源；负载部中，使用电感负载、电阻负载、电容负载、或者整流部件等被动负载、晶体管等开关器件（主动负载），分别对DUT附加必要的职能；在DUT连接部上，连接DUT控制/驱动部和DUT特性测定部；DUT控制/驱动部对DUT供给规定的电压信号、电流信号或频率信号，对其进行驱动，由DUT特性测定部7，通过在DUT3中流过的电流值或电压值测定其电特性和热特性，这样，对功率半导体元件的热阻试验、电涌（surge）试验、开关特性试验、连续工作试验进行综合，用同一台试验装置进行这些试验。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-107432号公报

发明内容

发明要解决的课题

图12中，在用DC试验机和AC试验机实施试验的情况下，在切换时需要使上部可动结构部24和26上下移动。这样，从AC试验机连接在上部可动结构部24的多根配线F1和从DC试验机连接在上部可动结构部26的多根配线G1与上部可动结构部24或26同时上下移动。

每次AC试验和DC试验都反复该上下动作，其频率例如在AC试验和DC试验的合计试验时间为30秒的情况下，约为1000次/天（8小时×60分钟×60秒/30秒），1年中达到360000次（1000次×30天×1两个月）。

这样反复上下动作时，在配线F1、G1的可动部分中发生金属疲劳，最坏的情况会导致断线，不能够进行试验。