[发明专利]CMOS影像传感器及其形成方法无效
| 申请号： | 201210451763.9 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102916027A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;余兴 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 影像 传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种CMOS影像传感器，其特征在于，包括：硅衬底，形成于所述硅衬底中的多个光电二极管，及位于相邻两个光电二极管之间的浅槽隔离，其中，所述浅槽隔离与相邻的光电二极管之间形成有高K介质层。
2.如权利要求1所述的CMOS影像传感器，其特征在于，所述高K介质层的介电常数大于等于4。
3.如权利要求1所述的CMOS影像传感器，其特征在于，所述高K介质层的厚度为10埃~70埃。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的CMOS影像传感器，其特征在于，所述高K介质层的材料为氧化铪、氧化铝、氧化钽和氧化锆中的一种或多种。
5.如权利要求1至3中的任一项所述的CMOS影像传感器，其特征在于，所述高K介质层通过化学气相沉积工艺、炉管工艺或者原子层淀积工艺形成。
6.如权利要求1至3中的任一项所述的CMOS影像传感器，其特征在于，所述高K介质层与相邻的光电二极管之间形成有离子注入层。
7.一种CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底中形成有多个光电二极管；
在相邻两个光电二极管之间形成浅槽；
在所述浅槽中形成高K介质层；
在所述高K介质层中形成浅槽隔离。
8.如权利要求7所述的CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，所述高K介质层的介电常数大于等于4。
9.如权利要求7所述的CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，所述高K介质层的厚度为10埃~70埃。
10.如权利要求7至9中的任一项所述的CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，所述高K介质层的材料为氧化铪、氧化铝、氧化钽和氧化锆中的一种或多种。
11.如权利要求7至9中的任一项所述的CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，所述高K介质层通过化学气相沉积工艺、炉管工艺或者原子层淀积工艺形成。
12.如权利要求7至9中的任一项所述的CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，在相邻两个光电二极管之间形成浅槽之后，在所述浅槽中形成高K介质层之前，还包括：
对所述浅槽执行离子注入工艺，以在所述浅槽中形成离子注入层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
