[发明专利]存储器同步缺陷检测方法

权利要求书

1.一种存储器同步缺陷检测方法，其特征在于包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据信息进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述不同方向是两个垂直方向。

3.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述不同方向是水平方向和垂直方向。

4.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，在完成整个晶圆的缺陷检测时，扫描完了整个晶圆同时完成所有数据的比对，得到一个缺陷分布图。

5.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述存储器区重复结构是最小的存储器区重复结构。

6.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述数据信息是图形信息。