[发明专利]聚焦离子束装置

权利要求书

1.一种聚焦离子束装置，其特征在于，所述聚焦离子束装置包括：

真空腔室，所述真空腔室用于为所述聚焦离子束装置的检测提供真空环境；

离子源，所述离子源为液态镓的液相金属离子源，当施加外加电场在所述液态镓的液相金属离子源时，所述液态镓形成细小尖端，并在负性电场的牵引下导出所述镓离子束；

离子光学系统，所述离子光学系统决定所述离子束的大小，所述离子束并经过二次聚焦达到位于所述样品台上的试片之上表面；

样品台，所述样品台用于承载所述试片；

二次电子，所述二次电子由所述聚焦离子束照射到所述试片产生，并被用作二次电荷探测器的二次电子探测器检测；

显示装置，所述显示装置根据检测到的所述二次电子信号显示所述试片的二次电子图像，进而进行缺陷的定位；

电荷导出装置，所述电荷导出装置设置在所述真空腔室上，并与所述试片之缺陷的附件区域电性连接。

2.如权利要求1所述的聚焦离子束装置，其特征在于，所述试片之缺陷的附件区域为试片的上表面处的电荷从所述缺陷运动至所述电荷导出装置处的区域。

3.如权利要求1所述的聚焦离子束装置，其特征在于，所述所述电荷导出装置为探针。

4.如权利要求1所述的聚焦离子束装置，其特征在于，通过所述不同数量的电荷导出装置调整所述聚焦离子束装置的电荷产生量与电荷导出量之间的比例，进而实现对沉积或切割速率的控制。