[发明专利]半导体光电元件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件的制作方法，包含：

提供一第一基板；

形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于该第一基板上；

形成一图案化透明导电层于该第一半导体外延叠层上；

形成一图案化粘着层于该第二半导体外延叠层上；

提供一第二基板；

转移该第二半导体外延叠层至该第二基板上；

切割该第一基板以形成一第一半导体光电元件包含该第一半导体外延叠层；以及

切割该第二基板以形成一第二半导体光电元件包含该第二半导体外延叠层，

其中该图案化透明导电层包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟、氧化锡、氧化锡氟、锑锡氧化物、镉锡氧化物、氧化锌铝、掺镉氧化锌材料或其组合，该图案化粘着层包含有机高分子透明胶材。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一半导体外延叠层的步骤还包含：

形成一第一导电性半导体层于该第一基板上；

形成一第二导电性半导体层于该第一导电性半导体层上；以及

形成一活性层于该第一导电性半导体层与该第二导电性半导体层之间。

3.如权利要求1所述的制作方法，还包含形成一图案化金属层于该第一半导体外延叠层上。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一半导体外延叠层与该第二半导体外延叠层彼此分离。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中，自垂直该第一基板表面观之，该第一半导体外延叠层与该第二半导体外延叠层具有不同几何形状。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中，自垂直该第一基板表面观之，该第一半导体外延叠层与该第二半导体外延叠层具有不同表面积。

7.如权利要求1所述的制作方法，更包含形成一反射层在该图案化透明导电层上。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一半导体光电元件的方法还包含形成第一电极，及第二电极，电连接该第一半导体外延叠层，其中，该第一电极与该第二电极位于该第一半导体外延叠层同侧。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第二半导体光电元件的方法还包含形成第一电极，及第二电极电连接该第二半导体外延叠层，其中，该第一电极与该第二电极位于该第二半导体外延叠层相反侧。

10.如权利要求1所述的制作方法，其中，该第一半导体光电元件与该第二半导体光电元件具有相同的元件尺寸。

11.如权利要求1所述的制作方法，其中，该第二半导体外延叠层围绕该第一半导体外延叠层。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中，在该第二半导体外延叠层转移至该第二基板后，还包括以干蚀刻或湿蚀刻的方式分离该第二半导体外延叠层为多个第三半导体外延叠层。

13.如权利要求12所述的制作方法，该第一半导体外延叠层具有第一长边与第一短边；该第三半导体外延叠层具有一第二长边与一第二短边；其中，该第一长边长度与该第一短边长度的比值小于该第二长边长度与该第二短边长度的比值。

14.如权利要求12所述的制作方法，其中，该第三半导体外延叠层为长方形。

15.如权利要求12所述的制作方法，其中，该第一半导体外延叠层的表面积为该第三半导体外延叠层的表面积的2倍或2倍以上。

16.如权利要求1所述的制作方法，其中该图案化粘着层的材质包含聚酰亚胺、苯环丁烯类高分子、全氟环丁基类高分子环氧类树脂、压克力类树脂、聚脂类树脂、聚碳酸酯类树脂材料或其组合。