[发明专利]蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法有效
| 申请号： | 201210450773.0 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103114288B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 片山大辅;逢坂育代;傅江雅美;户田健次 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 补给 以及 布线 形成 方法 | ||
1.一种蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，
是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液，
所述脂环式胺化合物是选自吡咯烷化合物、哌啶化合物以及哌嗪化合物中的1种以上，
所述酸为盐酸，且酸的浓度为7～180g/L，
所述脂环式胺化合物的浓度为0.01～10g/L。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述哌嗪化合物为下述式(I)表示的化合物，
式中，R1和R2各自独立地表示氢或碳原子数1～6的烃衍生基团，其中，R1和R2中的至少一方表示碳原子数1～6的烃衍生基团。
3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其中，在上述式(I)中，R1和R2中的至少一方具有氨基。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述唑化合物为四唑化合物。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，
所述二价铜离子的浓度为4～155g/L，
所述唑化合物的浓度为0.1～50g/L。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其进一步含有酰胺化合物。
7.根据权利要求6所述的蚀刻液，其中，所述酰胺化合物的浓度为0.01～20g/L。
8.根据权利要求6所述的蚀刻液，其中，所述酰胺化合物为选自吡咯烷酮化合物和甲酰胺化合物中的1种以上。
9.一种补给液，其特征在于，是连续或反复使用权利要求1～8中任一项所述的蚀刻液时向所述蚀刻液中添加的补给液，
是含有酸、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液，
所述脂环式胺化合物是选自吡咯烷化合物、哌啶化合物以及哌嗪化合物中的1种以上，
所述酸为盐酸，且酸的浓度为7～180g/L，
所述脂环式胺化合物的浓度为0.01～10g/L。
10.一种铜布线的形成方法，其特征在于，是对铜层的未被抗蚀剂覆盖的部分进行蚀刻的铜布线的形成方法，
使用权利要求1～8中任一项所述的蚀刻液进行蚀刻。
11.根据权利要求10所述的铜布线的形成方法，其中，所述铜层的未被抗蚀剂覆盖的部分含有钯。
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