[发明专利]双S形太赫兹波偏振分束器

权利要求书

1.一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括信号输入端（1）、第一信号输出端（2）、第二信号输出端（3）、基体（4）、第一横向直波导（5）、第二横向直波导（6）、第三横向直波导（7）、第四横向直波导（8）、倒等腰梯形波导（9）、第一纵向直波导（10）、第二纵向直波导（11）、S形波导（12）、倒S形波导（13）；基体（4）上设有第一横向直波导（5）、第二横向直波导（6）、第三横向直波导（7）、第四横向直波导（8）、倒等腰梯形波导（9）、第一纵向直波导（10）、第二纵向直波导（11）、S形波导（12）、倒S形波导（13），第一横向直波导（5）、第二横向直波导（6）、第三横向直波导（7）依次连接成一字形波导，倒等腰梯形波导（9）的上端与第二横向直波导（6）相连，第一纵向直波导（10）的上端连接在倒等腰梯形波导（9）的下端中心位置，第一纵向直波导（10）的下端与第四横向直波导（8）的左端相连，第一纵向直波导（10）与第四横向直波导（8）组成一个L形波导，第二纵向直波导（11）的上、下两端分别和第三横向直波导（7）、第四横向直波导（8）相连，第一纵向直波导（10）和第二纵向直波导（11）之间左右对称设有S形波导（12）和倒S形波导（13）；太赫兹波从信号输入端（1）输入，TE波直接从第一信号输出端（2）输出、TM波从第二信号输出端（3）输出，获得偏振分束的功能。

2.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的基体（4）的材料为二氧化硅，长度为2200μm~2400μm，宽度为1400μm~1600μm，厚度为300μm~400μm。

3.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的波导的材料均为硅，厚度均为50μm~100μm。

4.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的第一横向直波导（5）、第二横向直波导（6）、第三横向直波导（7）、第四横向直波导（8）的长度分别为300μm~400μm、700μm~800μm、1100μm~1200μm、1500μm~1600μm，宽度均为100μm~150μm。

5.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的倒等腰梯形波导（9）的上底长度为400μm~500μm，下底长度为700μm~800μm，高度为300μm~400μm。

6.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的第一纵向直波导（10）、第二纵向直波导（11）的长度分别为600μm~700μm、900μm~1000μm，宽度均为100μm~150μm；第一纵向直波导（10）与第二纵向直波导（11）之间的距离为1000μm~1200μm。

7.根据权利要求1所述的一种双S形太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的S形波导（12）和倒S形波导（13）的尺寸相同，S形波导（12）的外侧长度为450μm~460μm，S形波导（12）的上侧纵向波导的长度为320μm~330μm，整个波导的宽度为100μm~150μm；S形波导（12）和倒S形波导（13）之间的距离为30μm~40μm。