[发明专利]湿式蚀刻方法与基板承载装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种蚀刻方法，且特别是有关于一种湿式蚀刻方法与基板承载装置。

背景技术

目前的单面蚀刻技术主要有批次式(Batch Type)、串列式(In-line Type)、单面喷射式(One-side Injection Type)、以及结合串列式与单面喷射式的混合式(Hybrid Type)。批次式的单面蚀刻技术是先利用遮罩层保护住各基板没有要进行蚀刻的一面，再将这些基板整批地浸泡在装有蚀刻溶液的蚀刻槽内，来进行湿式蚀刻。然而，此种批次式蚀刻技术需先遮住基板的一面，因此步骤较为复杂。而且，由于蚀刻液在蚀刻槽内需填充到一定分量，因此会造成蚀刻剂浪费。此外，由于蚀刻液均装填在同一蚀刻槽中，因此会造成蚀刻液交互污染与浓度波动的问题。

串列式的单面蚀刻技术同样是将蚀刻液装在蚀刻槽内，再于蚀刻液的液面下装设滚轮，以承托基板。当基板放置在滚轮上时，蚀刻液可接触并蚀刻基板的下表面与侧面，但并不会接触基板的上表面，而达成基板的单面蚀刻。然而，在此蚀刻技术中，由于蚀刻液也是装填在蚀刻槽内，因此同样会有蚀刻液浪费、交互污染与浓度波动的问题。此外，蚀刻槽内的蚀刻液受到震动时，液面会产生波动，如此一来可能使得蚀刻液溢流到基板不需蚀刻的上表面，而在基板的上表面上形成蚀刻痕(Etching Mark)，故此蚀刻技术的单面蚀刻效果不佳。

单面喷射式蚀刻技术是将基板设置在可旋转的承载平台上，并在承载平台带动基板旋转的同时，从上方对基板的上表面施加蚀刻液的方式，来进行基板的单面蚀刻。然而，由于此种蚀刻技术是利用旋转离心力来避免蚀刻液渗到基板的下表面，但蚀刻液的控制不易而仍可能蔓延到基板的下表面，而在基板的下表面上形成蚀刻痕。故，此蚀刻技术的单面蚀刻效果不佳。

另外，由于混合式蚀刻技术是整合串列式与单面喷射式的技术，因此也具有单面蚀刻效果不佳的问题。

发明内容

因此，本发明的一目的就是在提供一种湿式蚀刻方法，其可有效防止蚀刻液溢流到基板的欲蚀刻表面的相对表面，而可避免蚀刻痕在此相对表面上形成。故，可确实达成基板的高品质的单面蚀刻。

本发明的另一目的是在提供一种湿式蚀刻方法，其在进行蚀刻时，可提供个别或混合蚀刻液，因此可对不同蚀刻制程的整合进行细部且进一步的微调，故可增加蚀刻制程的弹性。

本发明的又一目的是在提供一种湿式蚀刻方法，其可精确控制消耗的蚀刻剂的量，而可减少蚀刻剂的浪费。此外，运用此湿式蚀刻方法，可避免已知技术的蚀刻液交互污染与浓度波动的问题。

本发明的再一目的是在提供一种基板承载装置，其不同承载面气孔可导出不同气体量，而可将蚀刻后的基板推向基板运送装置，因此可大幅提升蚀刻制程的效率。

根据本发明的上述目的，提出一种湿式蚀刻方法，其包含下列步骤。使用一基板承载体的多个承载面气孔吸附一基板。施加一蚀刻液于基板的一第一表面上，并使用基板承载体的多个非承载面气孔导出气体，以防止蚀刻液溢流至基板相对于第一表面的一第二表面。移除第一表面上的蚀刻液。使用前述的承载面气孔导出气体，以使基板往一预定方向移动。

依据本发明的一实施例，上述的预定方向是往一基板运送装置的方向。

依据本发明的另一实施例，上述使用多个承载面气孔导出气体的步骤还包含使这些承载面气孔导出不同气体量，借以将基板推向预定方向。

根据本发明的上述目的，另提出一种基板承载装置，其包含一基板承载体以及一气体控制装置。基板承载体具有一承载面，且包含多个第一承载面气孔、多个第二承载面气孔、多个非承载面气孔、一第一气体管路、一第二气体管路以及一第三气体管路。气体控制装置经由第一气体管路、第二气体管路与第三气体管路分别调整前述的第一承载面气孔、第二承载面气孔与非承载面气孔的进气和出气。

依据本发明的一实施例，上述的第一承载面气孔与第二承载面气孔分别设于基板承载体的一第一区与一第二区中，第一气体管路设于第一区的一非中央处，第二气体管路设于第二区的一中央处。

依据本发明的另一实施例，上述的多个第一承载面气孔不均匀地设置在该第一区中。

依据本发明的又一实施例，上述的每一非承载面气孔斜设于基板承载体中，以朝承载面所承载的一基板斜向导出气体。

依据本发明的再一实施例，上述的基板承载装置还包含一抗摩擦缓冲层设于承载面上。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：