[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法以及液晶显示器有效
申请号: | 201210446109.9 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103107131A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 市原诚一;中村寿雄 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/78;H01L21/56;H01L27/02;H01L23/552;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 以及 液晶显示器 | ||
相关申请的交叉引用
通过引用将2011年11月11日提交的日本专利申请No.2011-247014公开的全部内容(包括说明书、附图以及摘要)并入本申请中。
背景技术
本发明涉及半导体器件、用于制造该半导体器件的技术以及液晶显示器。更具体地,涉及有效地适用于连同光源一起布置在壳体中的半导体器件的技术。
日本未审查专利申请No.平06(1994)-112371(专利文献1)中描述了一种用于通过形成光屏蔽压敏粘合带覆盖半导体芯片来使该半导体芯片避光的方法,其中该半导体芯片连同光源一起被布置在壳体中。
发明内容
近年来,以液晶显示器、等离子体显示器和有机电致发光(EL)显示器为代表的平板显示器迅速地流行起来。在这些平板显示器的每一个显示器中,连同显示器单元一起将其中形成了用于驱动该显示器单元的集成电路的半导体芯片(驱动器IC)布置在壳体中。由此,存在如下担忧,即,在这种平板显示器中,从光源发射的光可能会发射到半导体芯片上。
例如,在液晶显示器中,光源(背光灯)被布置在衬底(玻璃衬底)的背面(下侧)上,其中,用于驱动液晶材料(液晶组合物)的半导体芯片安装在该衬底之上,从光源发射的光朝向布置在光源的上侧的液晶材料发射。在这种情况下,存在如下担忧,即,光可能也会发射到半导体芯片上。在等离子体显示器或有机EL显示器中,显示器单元自身(光源)发射光,因此,从显示器单元泄漏的光可能会发射到被布置成与该显示器单元相邻的半导体芯片上。
如果光发射到半导体芯片上,如上所述,则来自半导体芯片的输出电压下降,因此,要施加到显示器单元的电压也下降。结果,例如,出现如下麻烦,即,显示的图像变得不清楚(对比度下降)。
因此,有效的是,通过利用光屏蔽压敏粘合带覆盖半导体芯片来使该芯片避光,如在上述专利文献1中所描述的那样。
但是,近年来,平板电脑的薄化得到了提升,由此,不仅半导体芯片的厚度,而且其上方布置有半导体芯片的衬底(盖玻璃、玻璃衬底、等等)的厚度均处于变小的趋势。因此,存在如下担忧,即,如果使用了上述光屏蔽压敏粘合带,取决于衬底或半导体芯片的厚度,该粘合带可能会从衬底(盖玻璃)的表面突起。如果光屏蔽压敏粘合带突起,那么来自外部的冲击(压力)可能会经由粘合带和壳体被传递至半导体芯片,由此可能会引起芯片破裂。
本发明的一个目的是提供一种技术,其中,平板显示器的薄化可以得到提升。
参照说明书以及附图的描述,本发明的上述及其它目的以及新颖特征可以变得更加清楚。
可以如下简要地概述本申请公开的发明中的典型发明。
根据典型实施例的制造半导体器件的方法包括:将半导体晶片划分成多个半导体芯片;在上述步骤之后,在每一个半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上形成光屏蔽膜。
根据典型实施例的半导体器件包括安装在衬底上的半导体芯片,该衬底布置在具有光源的壳体中,其中,光屏蔽膜形成在半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上。
根据典型实施例的液晶显示器包括安装在衬底上的半导体芯片,该衬底布置在具有光源的壳体中,其中,光屏蔽膜形成在半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上。
以下是对在本申请中公开的具有代表性的方面的实施例取得的效果的简要描述。
平板显示器的薄化可以得到提升。
附图说明
图1是图示了移动电话的外部结构的视图;
图2是沿着图1中的A-A线截取的截面图;
图3是图示了LCD驱动器的功能的功能块视图;
图4是图示了形成LCD驱动器的半导体芯片的顶表面的平面图;
图5是沿着图4中的A-A线截取的截面图;
图6是沿着图4中的B-B线截取的截面图;
图7是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的截面图;
图8是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的截面图;
图9是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的变型的截面图;
图10是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的变型的截面图;
图11是图示了其中芯片侧表面没有倾斜的结构的截面图;
图12是图示了其中芯片侧表面没有倾斜的结构的截面图;
图13是阐述了根据本发明的第一实施例的用于制造半导体器件的方法的流程的流程图;
图14是所提供的半导体晶片的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造